[發(fā)明專利]同時光刻及蝕刻校正流程的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680003211.8
• 申請日: 2016-06-30
• 公開（公告）號: CN107003603B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: G·韓;S·M·曼斯菲爾德;D·源-恩格克;D·J·塞繆爾斯;R·維斯瓦納坦
• 申請（專利權(quán)）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: G03F1/70
• 分類號: G03F1/70;G03F7/20;G06F30/398;G06F119/18;G06F30/39
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種修改光罩設(shè)計的方法，其包含：

在計算機系統(tǒng)上執(zhí)行第一光刻工藝模型仿真，導(dǎo)致在第一工藝窗口中產(chǎn)生掩模的線路或空間特征；

在該計算機系統(tǒng)上執(zhí)行第二蝕刻工藝模型仿真，導(dǎo)致在第二工藝窗口中產(chǎn)生該掩模的線路或空間特征；

判斷執(zhí)行各該第一光刻工藝模型仿真與第二蝕刻工藝模型仿真所導(dǎo)致的線路特征或空間特征是否符合各別線路特征規(guī)格及空間特征規(guī)格；以及

修改反復(fù)回圈程序的單一迭代里的掩模設(shè)計，使得該仿真的線路特征或該仿真的空間特征在各別最小關(guān)鍵尺寸(CD)規(guī)格的各者內(nèi)；并且致使獲得光刻與蝕刻之間最佳化的公用工藝窗口(PW)，其中該光刻與蝕刻工藝于該反復(fù)回圈處理過程中同時共最佳化。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一光刻與第二蝕刻工藝模型仿真兩者是在各迭代中同時執(zhí)行，導(dǎo)致最佳化的掩模尺寸解決方案，避免各模型獨立失效。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，更包含：

指定確保光刻CD特征印刷成功的最小光刻關(guān)鍵尺寸(CD)；

指定確保蝕刻CD特征印刷成功的最小蝕刻CD，以及

仿真將各單一反復(fù)回圈里的該第一光刻工藝模型與該第二蝕刻工藝模型用于判定具有符合各個各別最小光刻CD與最小蝕刻CD規(guī)格的特征的掩模設(shè)計。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，更包含：

在第一光刻CD工藝窗口與第二蝕刻工藝窗口之間套用權(quán)重以加速收斂，導(dǎo)致具有同時符合該最小光刻CD與最小蝕刻CD規(guī)格的特征的最佳化掩模尺寸解決方案。

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，共最佳化光刻工藝與蝕刻工藝的該公用工藝窗口(PW)提供經(jīng)最佳化用于包括后蝕刻CD之后光刻關(guān)鍵尺寸CD的居中范圍。

6.如權(quán)利要求3所述的方法，更包含：

在該反復(fù)處理回圈中產(chǎn)生OPC碼時，使用相同處理回圈里的計算來調(diào)整該光刻工藝模型及該蝕刻工藝模型兩者以設(shè)定該最小光刻CD規(guī)格的值及該最小蝕刻CD規(guī)格的值。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，該調(diào)整包含：

指明該掩模設(shè)計的掩模片段是否需要依正或負(fù)方向修改；以及

使用該單一迭代里的計算，基于導(dǎo)致不在該最小光刻CD規(guī)格或最小蝕刻CD規(guī)格內(nèi)的光刻或蝕刻CD特征的仿真來設(shè)定掩模片段設(shè)定移動。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，更包含：

執(zhí)行光學(xué)成像模型以基于該掩模設(shè)計產(chǎn)生光學(xué)參數(shù)；以及在該單一迭代中，

使用各該第一光刻工藝模型仿真中的該光學(xué)參數(shù)并且使用該第二蝕刻工藝模型仿真中的該光學(xué)參數(shù)作為3D阻劑外形的代理。

9.一種修改光罩設(shè)計的系統(tǒng)，其包含：

內(nèi)存儲存裝置；

與該內(nèi)存儲存裝置連通的硬件處理器，其組配成：

執(zhí)行第一光刻工藝模型仿真，導(dǎo)致在第一工藝窗口中產(chǎn)生掩模的線路或空間特征；

執(zhí)行第二蝕刻工藝模型仿真，導(dǎo)致在第二工藝窗口中產(chǎn)生該掩模的線路或空間特征；

判斷執(zhí)行各該第一光刻工藝模型仿真與第二蝕刻工藝模型仿真所導(dǎo)致的線路特征或空間特征是否符合各別線路特征規(guī)格及空間特征規(guī)格；以及

修改反復(fù)回圈程序的單一迭代里的掩模或掩模片段設(shè)計，使得該仿真的線路特征或該仿真的空間特征在各別最小關(guān)鍵尺寸

(CD)規(guī)格的各者內(nèi)；并且致使獲得光刻與蝕刻之間最佳化的公用工藝窗口(PW)，其中該光刻與蝕刻工藝于該反復(fù)回圈處理過程中同時共最佳化。

10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，第一光刻與第二蝕刻工藝模型仿真兩者是在各迭代中同時執(zhí)行，導(dǎo)致最佳化的掩模尺寸解決方案，避免各模型獨立失效。