[發明專利]復合基板的制造方法有效
| 申請號： | 201680002597.0 | 申請日： | 2016-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN108028312B | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發明（設計）人： | 北村和正;長江智毅 | 申請（專利權）人： | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號： | H01L41/337 | 分類號： | H01L41/337;B24B37/10;H01L41/18;H01L41/312;H01L41/335;H03H3/08 |
| 代理公司： | 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王軼;鄭雪娜 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 復合 制造 方法 | ||
1.一種復合基板的制造方法，其包括以下工序：
(a)對直徑2英寸以上的貼合基板的壓電基板側進行鏡面研磨直至所述壓電基板的厚度為20μm以下，該貼合基板是將壓電基板和支撐基板接合而得到的；
(b)使用離子束或中性原子束加工成：所述壓電基板的外周部的厚度比內周部厚且所述壓電基板的內周部的厚度的最大值與最小值的差值在整個平面中為100nm以下；
(c)使用直徑5mm～30mm的研磨墊，使所述研磨墊帶來的按壓力保持恒定，并且，使所述研磨墊邊旋轉邊相對于所述壓電基板進行相對移動，從而進行CMP研磨，除去所述工序(b)中使用離子束或中性原子束進行加工而產生的變質層的至少一部分，使所述壓電基板的整個表面變得平坦。
2.根據權利要求1所述的復合基板的制造方法，其中，
所述工序(c)中，以在外周部的滯留時間比內周部短的方式，使所述研磨墊相對于所述壓電基板進行相對移動。
3.根據權利要求1所述的復合基板的制造方法，其中，
所述工序(c)中，以所述壓電基板越薄滯留時間越短的方式，使所述研磨墊相對于所述壓電基板進行相對移動。
4.根據權利要求1所述的復合基板的制造方法，其中，
所述工序(c)中，以在外周部的滯留時間比內周部短的方式，并且以在內周部、所述壓電基板越薄滯留時間越短的方式，使所述研磨墊相對于所述壓電基板進行相對移動。
5.根據權利要求1所述的復合基板的制造方法，其中，
所述工序(b)中，使用離子束或中性原子束加工成：所述壓電基板的外周部的厚度的平均值比內周部的厚度的平均值大10～50nm。
6.根據權利要求1～5中的任一項所述的復合基板的制造方法，其中，
所述工序(b)中，使用離子束或中性原子束加工成：在所述壓電基板的外徑的90～100％或距離最外周5mm以內的范圍，厚度朝向最外周而增加。
7.根據權利要求6所述的復合基板的制造方法，其中，
所述工序(b)中，使用離子束或中性原子束加工成：所述范圍中的厚度的增加率為0.5nm/mm～10nm/mm。
8.根據權利要求1～5中的任一項所述的復合基板的制造方法，其中，
所述工序(b)中，使用離子束或中性原子束加工成：所述壓電基板的最外周的厚度比厚度最薄的部分厚20nm以上。
9.根據權利要求6所述的復合基板的制造方法，其中，
所述工序(b)中，使用離子束或中性原子束加工成：所述壓電基板的最外周的厚度比厚度最薄的部分厚20nm以上。
10.根據權利要求7所述的復合基板的制造方法，其中，
所述工序(b)中，使用離子束或中性原子束加工成：所述壓電基板的最外周的厚度比厚度最薄的部分厚20nm以上。
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