[發明專利]復合基板的制造方法

有效

• 申請號: 201680002597.0
• 申請日: 2016-09-14
• 公開（公告）號: CN108028312B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 北村和正;長江智毅
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01L41/337
• 分類號: H01L41/337;B24B37/10;H01L41/18;H01L41/312;H01L41/335;H03H3/08
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432
• 代理人: 王軼;鄭雪娜

本發明的復合基板的制造方法包括以下工序：(a)對直徑2英寸以上的貼合基板的壓電基板側進行鏡面研磨直至所述壓電基板的厚度為20μm以下，該貼合基板是將壓電基板和支撐基板接合而得到的；(b)進行離子束加工，加工成：所述壓電基板的外周部的厚度比內周部厚且所述壓電基板的內周部的厚度的最大值與最小值的差值在整個平面中為100nm以下；(c)使用直徑5mm～30mm的研磨墊，使所述研磨墊帶來的按壓力保持恒定，并且，使所述研磨墊邊旋轉邊移動，從而進行CMP研磨，除去通過所述離子束加工而產生的變質層的至少一部分，使所述壓電基板的整個表面變得平坦。

技術領域

本發明涉及復合基板的制造方法。

背景技術

期待通過使用非常薄的壓電薄膜來實現以往沒有的能夠在高頻下工作的彈性波元件。壓電薄膜優選為結晶性高、且具有任意的結晶軸的、厚度均勻的壓電單晶薄膜。作為得到該壓電薄膜的方法，例如專利文獻1中，提出：對將壓電基板和支撐基板接合而得到的直徑4英寸以上的貼合基板的壓電基板側進行鏡面研磨，建立研磨后的壓電基板的厚度分布數據，基于厚度分布數據來進行離子束加工等。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2014/104098號小冊子

發明內容

但是，如果進行離子束加工，則有時會在壓電基板的表面產生變質層，而有時希望該變質層盡量少。但是，當為了除去變質層而進行研磨時，有時在外周部發生塌邊而使壓電基板的厚度變薄，無法利用該部分。因此，要求開發出能夠盡量減少變質層且抑制塌邊發生的復合基板制造方法。

本發明是為了解決該課題而完成的，主要目的是提供一種能夠盡量減少變質層且抑制塌邊發生的復合基板制造方法。

本發明的發明人為了解決上述課題進行了潛心研究，結果想到：使用離子束或中性原子束以壓電基板的外周部的厚度變厚的方式進行加工，使直徑比壓電基板小的研磨墊以恒定的按壓力旋轉及移動，從而進行CMP研磨。并且發現：得到的復合基板中，壓電基板的變質層少且抑制了塌邊發生，從而完成了本發明。

本發明的復合基板的制造方法包括以下工序：

(a)對直徑2英寸以上的貼合基板的壓電基板側進行鏡面研磨直至所述壓電基板的厚度為20μm以下，該貼合基板是將壓電基板和支撐基板接合而得到的；

(b)使用離子束或中性原子束加工成：所述壓電基板的外周部的厚度比內周部厚且所述壓電基板的內周部的厚度的最大值與最小值的差值在整個平面中為100nm以下；

(c)使用直徑5mm～30mm的研磨墊，使所述研磨墊帶來的按壓力保持恒定，并且，使所述研磨墊邊旋轉邊相對于所述壓電基板進行相對移動，從而進行CMP研磨，除去所述工序(b)中使用離子束或中性原子束進行加工而產生的變質層的至少一部分，使所述壓電基板的整個表面變得平坦。

本發明的復合基板的制造方法中，由于除去使用離子束或中性原子束進行加工而產生的變質層的至少一部分，所以能夠提供變質層更少的復合基板。此時，在適當的條件下對以壓電基板的外周部的厚度變厚的方式進行了離子束加工的復合基板實施CMP研磨，因此，能夠抑制因CMP研磨而發生塌邊。

附圖說明

圖1是貼合基板10的立體圖。

圖2是復合基板20的制造方法的說明圖。

圖3是通常的CMP研磨機30的研磨部的立體圖。

圖4是小徑工具CMP研磨機50的研磨部的立體圖。

圖5是小徑工具CMP研磨機50的說明圖。

圖6是在實施例1的工序(c)前后的截面TEM照片。

圖7是表示壓電基板的測定線的說明圖。