[發明專利]原子束源有效
| 申請號: | 201680002242.1 | 申請日: | 2016-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN106664790B | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發明(設計)人: | 辻裕之;高橋知典;近藤好正;北村和正;赤尾隆嘉;長江智毅 | 申請(專利權)人: | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號: | H05H3/02 | 分類號: | H05H3/02;H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;陳彥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 原子 | ||
原子束源(10)具備:筒狀的陰極(20),其具有設置有能夠射出原子束的射出口(32)的射出部(30);設置在陰極20的內部的棒狀的第一陽極40;以及與第一陽極(40)分開設置在所述陰極(20)的內部的棒狀的第二陽極(50);通過將從陰極(20)的形狀、第一陽極(40)的形狀、第二陽極(50)的形狀、以及陰極(20)與第一陽極(40)和所述第二陽極(50)的位置關系組成的組中選擇的至少一個設為預定的構成,從而抑制濺射粒子的射出,該濺射粒子是由第一陽極(40)與第二陽極(50)之間的等離子體生成的陽離子與陰極(20)、第一陽極(40)及第二陽極(50)中的至少一個發生碰撞而產生的。
技術領域
本發明涉及原子束源。
背景技術
以往,作為這種原子束源,提出了使配置于作為陰極的筒狀體內部的陽極位移,控制放電空間內的電子密度的原子束源(參照專利文獻1)。專利文獻1的原子束源,可以以低價且在短時間內獲得所期望的每單位時間的發射原子密度分布,對于表面改性裝置,能夠進行良好的表面處理。
然而,專利文獻1的原子束源,有時會因在放電空間內生成的離子等致使陰極或陽極被濺射而發生脫落,導致脫落的粒子從原子束源射出。因此,提出了一種電子束源,其具備成為陰極的框體、設置在框體內并成為使電場產生的陽極的電極體,在框體、電極體的至少一部分應用了難以被電場內生成的離子濺射的材料(參照專利文獻2)。專利文獻2的原子束源能夠抑制不必要的粒子的射出。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2007-317650號公報
專利文獻2:日本特開2014-86400號公報
發明內容
本發明所要解決的問題
然而,專利文獻2的電子束源雖然通過應用難以被濺射的材料,從而能夠抑制不必要的粒子的射出,但是有時仍然會有不必要的粒子射出,期望進一步抑制不必要的粒子的射出。
本發明是為了解決上述問題而提出的,其主要目的在于提供一種能夠更加抑制不必要的粒子的射出的原子束源。
用于解決問題的方法
本發明的原子束源,為了實現上述主要目的而采取以下方法。
本發明的原子束源具備:
筒狀的陰極,其具有設置了能夠射出原子束的射出口的射出部;
設置在所述陰極的內部的棒狀的第一陽極;以及
與第一陽極分開設置在所述陰極的內部的棒狀的第二陽極;
通過將從所述陰極的形狀、所述第一陽極的形狀、所述第二陽極的形狀、以及所述陰極與所述第一陽極和所述第二陽極的位置關系組成的組中選擇的至少一個設為預定的構成,從而抑制濺射粒子的射出,其中濺射粒子是由所述第一陽極與所述第二陽極之間的等離子體生成的陽離子與所述陰極、所述第一陽極及所述第二陽極中的至少一個發生碰撞而產生的。
本發明的原子束源能夠更加抑制不必要的粒子的射出。能夠獲得這樣的效果的原因推測如下。即,可推測為:通過將陰極的形狀、各陽極的形狀、陰極與第一陽極和第二陽極的位置關系等設為預定的構成,從而能夠抑制濺射粒子本身的產生,或抑制濺射粒子的堆積,或抑制所產生的濺射粒子從陰極、陽極脫落、飛散,或抑制脫落、飛散的濺射粒子的射出。
附圖說明
圖1為表示第一實施方式的一個例子即原子束源10的構成概要的立體圖。
圖2為圖1的A-A截面圖。
圖3為表示原子束源10的使用狀態的說明圖。
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