[發明專利]蝕刻液、補給液及銅布線的形成方法有效
| 申請號: | 201680000623.6 | 申請日: | 2016-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN107208279B | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | 小寺浩史;片山育代;菱川翔太 | 申請(專利權)人: | MEC股份有限公司 |
| 主分類號: | C23F1/18 | 分類號: | C23F1/18;H05K3/06 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 張福根;馮志云 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蝕刻 補給 布線 形成 方法 | ||
本發明是一種銅的蝕刻液,包含酸、以及選自由脂肪族無環化合物、脂肪族雜環化合物及芳香族雜環化合物所組成的群組中的1種以上的化合物;所述脂肪族無環化合物是碳數2至10的飽和脂肪族無環化合物(A),僅具有2個以上的氮作為雜原子;所述脂肪族雜環化合物是包含五至七元環的化合物(B),所述五至七元環具有1個以上的氮作為構成環的雜原子;所述芳香族雜環化合物是包含六元芳香雜環的化合物(C),所述六元芳香雜環具有1個以上的氮作為構成環的雜原子。本發明提供一種蝕刻液及其補給液、以及銅布線的形成方法,本發明的銅的蝕刻液能夠在不降低銅布線的直線性(銅布線頂部的布線寬度(W2))的情況下抑制側面蝕刻,并且能夠抑制銅布線底部的布線寬度(W1)的不均。
技術領域
本發明涉及一種銅的蝕刻液及其補給液、以及銅布線的形成方法。
背景技術
在印刷布線板的制造中,使用光蝕刻法來形成銅布線圖案時,使用氯化鐵系蝕刻液、氯化銅系蝕刻液、堿性蝕刻液等作為蝕刻液。使用這些蝕刻液時,存在被稱為側面蝕刻(side etching),即抗蝕劑(etching resist)下的銅從布線圖案的側面溶解的情況。也就是說,本來希望通過以抗蝕劑覆蓋而不會由蝕刻去除的部分(即銅布線部分)被蝕刻液去除,而產生了寬度由此銅布線的底部往頂部逐漸變細的現象。特別是在銅布線圖案微細的情況下,必須盡可能地減少這種側面蝕刻。為了抑制此側面蝕刻,專利文獻1中,提出了一種蝕刻液,其中調配了作為五元芳香雜環化合物的唑類化合物。
根據專利文獻1中記載的蝕刻液,能夠抑制側面蝕刻,但是,如果以通常的方法來使用專利文獻1中記載的蝕刻液,則銅布線的側面可能產生形狀不均。如果銅布線的側面產生形狀不均,則銅布線的直線性(銅布線頂部的布線寬度(W2))(參照圖1)降低,從印刷布線板的上方對銅布線寬度進行光學檢查時,有可能會引起誤判,此外,如果直線性極度惡化,則有可能會降低印刷布線板的阻抗特性。因此,專利文獻2中,提出了一種較難降低銅布線的直線性的蝕刻液,其中包含特定的脂肪族雜環化合物。
此外,專利文獻3中,公開了一種組合物,包含溴化物離子等鹵素離子源,用在目的在于促進成像抗蝕劑(imaging resist)或焊接掩膜在銅及銅合金表面的附著的微蝕刻中,但是,此組合物并不是用來形成銅布線的蝕刻液。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2005-330572號公報。
專利文獻2:日本專利第5618340號公報。
專利文獻3:日本特表2013-527323號公報。
發明內容
(發明所要解決的問題)
另一方面,就蝕刻液而言,除了所述的抑制側面蝕刻、以及抑制銅布線的直線性降低之外,還要求能夠抑制蝕刻后銅布線底部的布線寬度(W1)(參照圖1)的不均。銅布線底部的布線寬度(W1)的不均會損害與鄰近的銅布線的絕緣可靠性,所以會引起成品率降低。此外,如果銅布線底部的布線寬度的不均極大,則有可能降低印刷布線板的阻抗特性。
本發明是鑒于所述實際情況研究而成的,提供一種蝕刻液及其補給液、以及銅布線的形成方法,所述蝕刻液能夠在不降低銅布線的直線性的情況下抑制側面蝕刻,并且能夠抑制銅布線底部的布線寬度(W1)的不均。
(解決問題的技術手段)
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