[實用新型]基板移送裝置有效
| 申請號: | 201621366061.0 | 申請日: | 2016-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN206541815U | 公開(公告)日: | 2017-10-03 |
| 發明(設計)人: | 金大石 | 申請(專利權)人: | K.C.科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京冠和權律師事務所11399 | 代理人: | 朱健 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 移送 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種基板移送裝置(APPARATUS OF TRANSFERRING SUBSTRATE),更為具體地,涉及一種基板移送裝置,其以將結束研磨工藝的基板以正確的姿勢放置于正確的位置的狀態移送基板,并防止晶元在移送過程中干燥。
背景技術
化學機械研磨(CMP)裝置是一種在半導體元件制造過程中,為了實現根據大面積平坦化和用于形成電路的接觸(Contact)/配線膜分離及集成元件化的基板表面粗糙度提高等而對基板的表面進行精密研磨加工所使用的裝置,所述大面積平坦化是指去除由通過反復進行掩蔽(masking)、蝕刻(etching)及配線工藝等而生成的基板表面的凹凸所造成的單元(Cell)區域與周圍電路區域間的高度差。
如圖1所示,如果化學機械研磨裝置X1通過供給臂H將圓形基板W供給至載體頭 CH,則隨著搭載于載體頭CH的基板在研磨平板P上得到加壓,進行根據摩擦的機械研磨工藝,與此同時,通過供給于研磨平板P的研磨液進行化學研磨工藝。
由于化學機械研磨工藝以在基板W的研磨面附著很多異物的狀態結束,因此通過多個步驟來進行將基板W的研磨面清洗干凈的清洗工藝。為此,結束CMP工藝的基板W,為了去除粘附于表面的異物,如圖2a所示,成為通過供給臂H被安置于基板移送裝置1 的移動主體20的狀態,移動主體20沿著規定的路徑Rx移動99d的同時,進行在基板清洗裝置1的各清洗模塊C1、C2、C3的清洗工藝。
在此,各個清洗模塊C1、C2、C3的清洗裝置設置為收容于各個殼內,如果基板W 流入清洗模塊的清洗空間,則從移動主體20接收基板W并通過設置于清洗空間的清洗裝置進行清洗工藝。
但是,如果基板W不能準確地被安裝于移動主體20的規定位置,則隨著設置于清洗空間的清洗裝置從移動主體20接收基板W時發生錯誤,如圖2b所示,基板W發生墜落。由此,以串聯形式連續進行的多個基板處理工藝中斷的同時,造成無法避免基板受損的問題。
不僅如此,如果完成化學機械研磨工藝的基板W被干燥,則發生因安裝于基板W的元件的種類而受損的情況。由此,如圖2b所示,因為某個基板W的墜落66,以串聯形式連續進行工藝的多個基板W無法被移送至接下來的工藝,而固定在那個位置,如果作業人員去除墜落的基板W時所用的時間延遲幾分以上,則造成多個基板W受損而需要承受嚴重的金錢損失的問題。
因此,針對結束化學機械研磨工藝而進行多個步驟的清洗工藝的基板W,迫切需要一種將基板W從移送裝置1毫無誤差地轉移至各清洗模塊C1、C2、C3內的清洗裝置從而可以進行清洗工藝,并且在清洗工藝中即使某一個基板W墜落66也可以防止其他基板W被干燥而受損的方案。
實用新型內容
本實用新型在上述的技術背景下提出,其目的在于,使得結束化學機械研磨工藝的基板經過多個步驟的清洗工藝的同時,毫無誤差地將基板傳送至各個清洗裝置。
換句話說,本實用新型的目的在于,即使結束化學機械研磨工藝的基板以錯開的形態位于基板移送裝置,也能夠在基板被移送的過程中對規定的位置和規定的形態進行矯正,從而即使不另外經過將基板向正確的位置調整的工藝,也能準確地將基板傳送至清洗裝置,從而提高工藝效率。
此外,本實用新型的目的在于,即使在化學機械研磨工藝后進行的基板的清洗工藝中發生錯誤,也能夠使得基板不干燥,從而防止基板受損。
為了達成上述目的,本實用新型提供一種基板移送裝置,所述基板移送裝置作為以使得結束化學機械研磨工藝的基板放置的狀態進行移送的裝置,其特征在于,包括:移動主體;基板放置架,其從移動主體向下方延長并以互相面對的形式折曲且設置有兩個以上的放置面,使得所述基板放置于所述放置面;流體供給部,其向所述基板供給液體或氣體。
其目的在于,在結束化學機械研磨工藝的基板的表面附著有研磨粒子等,如果基板的表面干燥并固著有研磨粒子等,則通過清洗工藝也不能去除研磨粒子等,因而基板永久性受損,因此,通過流體供給部持續地供給液體或氣體來維持基板的濕潤狀態,從而即使在清洗工藝發生錯誤,也能防止基板受損。
此時,優選地,在所述基板放置架,傾斜面形成于放置面的外側。一般來說,由于基板以較薄的厚度形成,即使以傾斜的形態錯誤地將基板放置于移送裝置,基板的邊緣和傾斜面之間的摩擦力也相對較小,因而可以以更加可靠且沒有沖撞的形式使得基板乘著傾斜面下滑,并以正常的水平的形態移動。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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