[實用新型]基板移送裝置有效
| 申請號: | 201621366061.0 | 申請日: | 2016-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN206541815U | 公開(公告)日: | 2017-10-03 |
| 發明(設計)人: | 金大石 | 申請(專利權)人: | K.C.科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京冠和權律師事務所11399 | 代理人: | 朱健 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 移送 裝置 | ||
1.一種基板移送裝置,其以使得結束化學機械研磨工藝的基板放置的狀態進行移送,所述基板移送裝置的特征在于,包括:
移動主體;
基板放置架,其從移動主體向下方延長并以互相面對的形式折曲且設置有兩個以上的放置面,并且使得所述基板放置于所述放置面;
流體供給部,其向所述基板供給液體或氣體。
2.根據權利要求1所述的基板移送裝置,其特征在于,
在所述基板放置架,傾斜面形成于所述放置面的外側。
3.根據權利要求2所述的基板移送裝置,其特征在于,
所述放置面的末端之間的長度與基板的直徑或寬度相對應,所述放置面與所述基板放置架的所述傾斜面形成界限。
4.根據權利要求1所述的基板移送裝置,其特征在于,
如果以所述基板的工藝面朝向上側的形式安置于所述放置面,則從所述流體供給部向所述基板的所述工藝面供給液體或氣體。
5.根據權利要求1所述的基板移送裝置,其特征在于,
所述流體供給部在所述基板的上側供給液體。
6.根據權利要求1所述的基板移送裝置,其特征在于,
所述流體供給部向所述基板的表面以傾斜的形式供給液體。
7.根據權利要求6所述的基板移送裝置,其特征在于,
所述流體供給部配置兩個以上,并且在偏離所述基板的中心的位置配置一個以上。
8.根據權利要求7所述的基板移送裝置,其特征在于,
在所述基板放置架設置有感知傳感器,所述感知傳感器對所述基板安裝于放置面的預定位置進行感知。
9.根據權利要求8所述的基板移送裝置,其特征在于,
如果通過所述感知傳感器感知到所述基板的某一側處于與所述放置面非接觸的狀態,則從配置于所述基板的非接觸位置的流體供給部以高于大氣壓的壓力向所述基板噴射液體或氣體。
10.根據權利要求1至9中的任意一項所述的基板移送裝置,其特征在于,
在所述基板位于所述基板放置架的狀態下,從所述流體供給部以高于大氣壓的第一壓力一次噴射液體或氣體,在以所述第一壓力噴射后從所述流體供給部以低于所述第一壓力的第二壓力二次噴射液體。
11.根據權利要求10所述的基板移送裝置,其特征在于,
從所述流體供給部噴射液體的壓力從第一壓力變動為第二壓力的時間點為感知到所述基板安裝于所述基板放置架的預定位置之后。
12.根據權利要求10所述的基板移送裝置,其特征在于,
第二位置為進行所述基板的清洗工藝的清洗裝置。
13.根據權利要求10所述的基板移送裝置,其特征在于,
在所述基板被供給于所述基板放置架的狀態下,所述移動主體移動,在其從第一位置向第二位置移動之前,液體從設置于所述移動主體的流體供給部被供給至所述基板的表面。
14.根據權利要求13所述的基板移送裝置,其特征在于,
所述第二位置為進行所述基板的清洗工藝的清洗裝置。
15.根據權利要求13所述的基板移送裝置,其特征在于,
在所述基板被供給于所述基板放置架的狀態下,所述移動主體移動,在其從第一位置向第二位置移動的期間,液體從設置于所述移動主體的流體供給部被供給至所述基板的表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





