[實(shí)用新型]直流?直流轉(zhuǎn)換電路的封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201621305597.1
• 申請(qǐng)日: 2016-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN206194740U
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳繼輝;周景暉;王大選;劉冰;孔美萍;石一心
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)矽科微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/16
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/16;H01L23/495;H01L23/49;H01L23/367
• 代理公司: 無(wú)錫互維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司32236
• 代理人: 龐聰雅

【技術(shù)領(lǐng)域】

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種直流-直流轉(zhuǎn)換電路的封裝結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】

現(xiàn)有常見(jiàn)的DC-DC(direct current-direct current，直流-直流)轉(zhuǎn)換電路的封裝結(jié)構(gòu)主要有兩種封裝形式：?jiǎn)涡酒庋b或多塊集成電路。

對(duì)于單芯片封裝來(lái)說(shuō)，其存在芯片的成本高，以及輸出功率不靈活，光罩投入大等缺點(diǎn)。

眾所周知，采用單芯片封裝的DC-DC轉(zhuǎn)換電路通常包括控制電路與功率器件兩部分，功率器件為MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor)，采用BCD工藝流片，通常光罩?jǐn)?shù)量約有20層。集成電路圓片成本通常與光罩?jǐn)?shù)量正比例相關(guān)。而該電路中，通常功率器件(輸出管)的面積占到整個(gè)芯片面積的50％以上如果將上述芯片中的功率器件與控制電路分開(kāi)(即多芯片方式)，則功率器件可以采用DMOS(Discrete Metal-Oxide-Silicon,分立型金屬-氧化物-硅)工藝流片。而DMOS工藝的光罩?jǐn)?shù)量通常只有7層，而且采用DMOS工藝流片的器件比采用BCD工藝流片的器件性能更好。一般估計(jì)，單芯片封裝的DC-DC轉(zhuǎn)換電路的芯片成本是多芯片封裝的2倍左右。由此可知，單芯片封裝存在芯片的成本高的問(wèn)題。

采用單芯片封裝的DC-DC轉(zhuǎn)換電路由于成本面積固定，其最大的輸出功率也固定。如果市場(chǎng)上有不同的輸出功率的要求，需要設(shè)計(jì)不同的電路，增加了光罩的投資。如果采用多芯片封裝的方式，針對(duì)不同的輸出功率需求，控制芯片是一樣的，只要選用不同的MOS管就可以了，而且MOS管是標(biāo)準(zhǔn)器件，市場(chǎng)上有多重規(guī)格供應(yīng)。這樣可以節(jié)約光罩投資。由此可知，單芯片封裝還存在輸出功率不靈活，光罩投入大的問(wèn)題。

對(duì)于多塊集成電路封裝來(lái)說(shuō)，其存在封裝成本高、可靠性差和焊接成本高等缺點(diǎn)。

市面上也有將DC-DC控制芯片做成標(biāo)準(zhǔn)件，將MOS管也做成標(biāo)準(zhǔn)件，分別封裝成成品電路的做法(即多塊集成電路封裝)。這種方法通常具有如下缺點(diǎn)：由于DC-DC控制芯片和MOS管需要單獨(dú)封裝，從而使封裝成本比較高；零件的數(shù)量增加。對(duì)于一個(gè)系統(tǒng)來(lái)講，零件數(shù)量的增加必然對(duì)應(yīng)失效機(jī)率的增加；隨著零件數(shù)量的增加，焊接數(shù)量相應(yīng)增加，從而增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性和體積。

因此，有必要提供一種新的封裝結(jié)構(gòu)來(lái)解決上述問(wèn)題。

【實(shí)用新型內(nèi)容】

本實(shí)用新型的目的在于提供一種直流-直流轉(zhuǎn)換電路的封裝結(jié)構(gòu)，其不僅可以提高封裝效率、簡(jiǎn)化PCB板的電路設(shè)計(jì)和外圍焊接，而且還可以提高電路的可靠性，降低系統(tǒng)成本。

為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種直流-直流轉(zhuǎn)換電路的封裝結(jié)構(gòu)，其包括引線框、直流-直流轉(zhuǎn)換電路以及包覆所述引線框和直流-直流轉(zhuǎn)換電路的封裝體。引線框，其包括第一基島、第二基島以及設(shè)置于第一基島和第二基島周?chē)囊_；所述直流-直流轉(zhuǎn)換電路包括直流-直流控制電路芯片，以及至少兩個(gè)MOS管，其中，所述至少兩個(gè)MOS管包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管均位于所述第一基島的正面，且所述第一MOS管的漏極和第二MOS管的漏極均與所述第一基島電連接；所述第一MOS管的源極和所述第二MOS管的源極分別與所述引線框的對(duì)應(yīng)引腳電連接；直流-直流控制電路芯片，其位于所述第二基島的正面，所述直流-直流控制電路芯片與第一MOS管、第二MOS管以及引線框的對(duì)應(yīng)引腳電連接。

進(jìn)一步的，所述引線框還包括第三基島，所述直流-直流轉(zhuǎn)換電路還包括第三MOS管和第四MOS管，所述第三MOS管和第四MOS管均位于所述第三基島的正面，所述第三MOS管的漏極和第四MOS管的的漏極均與所述第三基島電連接，所述第三MOS管的源極和所述第四MOS管的源極分別于所述引線框的對(duì)應(yīng)引腳相連，所述直流-直流控制電路芯片的有關(guān)焊盤(pán)還與所述第三MOS管和第四MOS管電連接。

進(jìn)一步的，每個(gè)MOS管的源極與引線框的多個(gè)對(duì)應(yīng)引腳電連接，且該多個(gè)對(duì)應(yīng)引腳連成一個(gè)整體作為對(duì)應(yīng)MOS管的源極引出端。

進(jìn)一步的，所述多個(gè)對(duì)應(yīng)引腳通過(guò)打線或鋁帶連成一個(gè)整體。

進(jìn)一步的，所述MOS管由DMOS工藝制得，每個(gè)MOS管是一個(gè)芯片。

進(jìn)一步的，所述第一MOS管的漏極和第二MOS管的漏極通過(guò)導(dǎo)電膠與第一基島電連接；所述第三MOS管的漏極和第四MOS管的漏極通過(guò)導(dǎo)電膠與第三基島電連接。

進(jìn)一步的，所述第一MOS管和第三MOS管為PMOS晶體管；所述第二MOS管和第四MOS管為NMOS晶體管。

進(jìn)一步的，第一基島和第三基島對(duì)稱(chēng)分布在第二基島的兩側(cè)。