[實用新型]直流?直流轉換電路的封裝結構

有效

• 申請號: 201621305597.1
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN206194740U
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 陳繼輝;周景暉;王大選;劉冰;孔美萍;石一心
• 申請（專利權）人: 無錫華潤矽科微電子有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/495;H01L23/49;H01L23/367
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司32236
• 代理人: 龐聰雅

1.一種直流-直流轉換電路的封裝結構，其特征在于，其包括引線框、直流-直流轉換電路以及包覆所述引線框和直流-直流轉換電路的封裝體，

引線框，其包括第一基島、第二基島以及設置于第一基島和第二基島周圍的引腳；

所述直流-直流轉換電路包括直流-直流控制電路芯片，以及至少兩個MOS管，其中，所述至少兩個MOS管包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管均位于所述第一基島的正面，且所述第一MOS管的漏極和第二MOS管的漏極均與所述第一基島電連接；所述第一MOS管的源極和所述第二MOS管的源極分別與所述引線框的對應引腳電連接；

直流-直流控制電路芯片，其位于所述第二基島的正面，所述直流-直流控制電路芯片與第一MOS管、第二MOS管以及引線框的對應引腳電連接。

2.根據權利要求1所述的直流-直流轉換電路的封裝結構，其特征在于，所述引線框還包括第三基島，所述直流-直流轉換電路還包括第三MOS管和第四MOS管，

所述第三MOS管和第四MOS管均位于所述第三基島的正面，所述第三MOS管的漏極和第四MOS管的漏極均與所述第三基島電連接，所述第三MOS管的源極和所述第四MOS管的源極分別于所述引線框的對應引腳相連，

所述直流-直流控制電路芯片的有關焊盤還與所述第三MOS管和第四MOS管電連接。

3.根據權利要求2所述的直流-直流轉換電路的封裝結構，其特征在于，

每個MOS管的源極與引線框的多個對應引腳電連接，且該多個對應引腳連成一個整體作為對應MOS管的源極引出端。

4.根據權利要求3所述的直流-直流轉換電路的封裝結構，其特征在于，所述多個對應引腳通過打線或鋁帶連成一個整體。

5.根據權利要求2所述的直流-直流轉換電路的封裝結構，其特征在于，

所述MOS管由DMOS工藝制得，每個MOS管是一個芯片。

6.根據權利要求5所述的直流-直流轉換電路的封裝結構，其特征在于，

所述第一MOS管的漏極和第二MOS管的漏極通過導電膠與第一基島電連接；

所述第三MOS管的漏極和第四MOS管的漏極通過導電膠與第三基島電連接。

7.根據權利要求2所述的直流-直流轉換電路的封裝結構，其特征在于，

所述第一MOS管和第三MOS管為PMOS晶體管；

所述第二MOS管和第四MOS管為NMOS晶體管。

8.根據權利要求2所述的直流-直流轉換電路的封裝結構，其特征在于，

第一基島和第三基島對稱分布在第二基島的兩側。

9.根據權利要求2所述的直流-直流轉換電路的封裝結構，其特征在于，

所述基島的背面外露于所述封裝體。

10.根據權利要求2所述的直流-直流轉換電路的封裝結構，其特征在于，

所述直流-直流轉換電路的封裝結構的高度為0.75mm～0.85mm。