[實(shí)用新型]包含電子芯片的半導(dǎo)體晶圓和集成電路芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201621244897.3
• 申請(qǐng)日: 2016-11-21
• 公開（公告）號(hào): CN206271699U
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F·塔耶;G·鮑頓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體(魯塞)公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 王茂華,董典紅

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容涉及諸如集成電路的電子部件的制造，更具體地，本公開內(nèi)容的目的在于在半導(dǎo)體晶圓內(nèi)形成相對(duì)于彼此具有低差量(dispersion)的部件。

背景技術(shù)

集成電子電路通常從其中形成有大量相同電子芯片的半導(dǎo)體晶圓來制造，所述芯片隨后通常通過鋸切來相互分離。

電子芯片的制造包括大量的掩蔽步驟，具體操作根據(jù)每個(gè)掩模的圖案來執(zhí)行，例如摻雜注入、層蝕刻和連接層中的電連接。

傳統(tǒng)地，可以觀察到晶圓的電子芯片包含諸如電容器、晶體管和存儲(chǔ)單元的基礎(chǔ)部件，它們顯示出由制造引起的特定的特性差量。具體地，給定部件在不同的半導(dǎo)體晶圓中將不總是具有相同的值，在同一半導(dǎo)體晶圓的不同芯片中也不總是具有相同的值。

在特定情況下，這種差量非常重要，例如在期望制造調(diào)諧電容器時(shí)。

為了克服這種差量，在現(xiàn)有技術(shù)中使用許多解決方案，諸如：

–對(duì)制造方法施加極其嚴(yán)格的約束：這是昂貴的，并且所得到的差量限制通常在晶圓內(nèi)僅為±7％的量級(jí)；

–對(duì)所得到的芯片進(jìn)行分類并且拒絕壞芯片：如果拒絕差量大于±5％的所有芯片，則這會(huì)引起大于10％的效率損失；和/或

–在制造結(jié)束時(shí)執(zhí)行激光調(diào)整：這當(dāng)然是昂貴且耗時(shí)的技術(shù)。

因此，需要能夠減小電子電路芯片的制造差量以增加制造效率并避免附加步驟(分類、激光調(diào)整…)的方案。

實(shí)用新型內(nèi)容

因此，實(shí)施例提供了一種包含電子芯片的半導(dǎo)體晶圓，每個(gè)芯片包括第一類型的至少一個(gè)部件，該部件與根據(jù)芯片在晶圓中的位置而連接或不連接的輔助校正部件相關(guān)聯(lián)。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一類型的部件是電容器，并且輔助部件是與主電容器共享電極并且具有遠(yuǎn)小于主部件的表面積的輔助電容器，輔助電容器根據(jù)芯片在晶圓中的位置而連接或不連接。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，電容器是ONO類型的。

實(shí)施例提供了一種集成電路芯片，通過鋸切諸如上述的晶圓而得到。

根據(jù)本公開實(shí)施例的方案，能夠減小電子電路芯片的制造差量以增加制造效率并避免附加步驟。

結(jié)合附圖，在以下專門的實(shí)施例的非限制性描述中詳細(xì)討論前述和其他特征以及優(yōu)勢。

附圖說明

圖1示出了配置在晶圓的各個(gè)芯片中的調(diào)諧電容器的值，該值取決于這些芯片與晶圓中心的距離；

圖2示出了對(duì)晶圓的電容調(diào)整的策略；

圖3示出了差量補(bǔ)償電容器結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例；

圖4示出了通過硅晶圓上的步進(jìn)重復(fù)方法所得到的圖案的形狀；以及

圖5示出了差量補(bǔ)償電容器結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

在各個(gè)附圖中，用相同的參考標(biāo)號(hào)來指定相同的元件，并且進(jìn)一步，各個(gè)附圖不按比例繪制。為了清楚，僅示出和描述有助于理解所述實(shí)施例的那些步驟和元件。

在本說明書中，為了易于理解，首先將僅考慮特定情況，其中調(diào)諧電容器具有硅氧化物-氮化物-氧化物三層作為電介質(zhì)并且使得它們相對(duì)的電極由重?fù)诫s多晶硅制成。這種電容器在這里將稱為ONO電容器，并且例如可以用作RF電路的調(diào)諧電容器。然而，應(yīng)該注意，這不是本文所述方法的唯一應(yīng)用。

本發(fā)明人研究了在半導(dǎo)體晶圓中傳統(tǒng)制造的ONO電容器的電容的差量。

圖1在縱軸上示出了電容器C的值，以及在橫軸上示出了與其中制造有至少一個(gè)ONO電容器的每個(gè)芯片的半導(dǎo)體晶圓的中心的距離r?？梢钥闯?，例如，如果電容值在芯片中心處為70pF，則其在芯片外圍減小到近似為63pF的值。該實(shí)例是在具有200mm直徑(8英寸)的晶圓的情況下給出的。

圖2示出了半導(dǎo)體晶圓的連續(xù)同心區(qū)域。應(yīng)該注意，如果期望所有的ONO電容器在中心處以及晶圓外圍處都具有相同的70pF值，則期望在圖1的實(shí)例的情況下如下這樣保持電容器：在中心處(添加0)，向位于第一環(huán)中的電容器添加1pF(添加1p)，向位于下一環(huán)中的電容器添加2pF(添加2p)，向位于下一環(huán)中的電容器添加3pF(添加3p)，向位于下一環(huán)中的電容器添加4pF(添加4p)，向位于下一環(huán)中的電容器添加5pF(添加5p)，向位于下一環(huán)中的電容器添加6pF(添加6p)，以及向位于最后一環(huán)中的電容器添加7pF(添加7p)。當(dāng)然，這種劃分為七個(gè)區(qū)域僅作為實(shí)例?？梢赃x擇更細(xì)的劃分(更多區(qū)域)或者更粗的劃分(更少區(qū)域)。