[實(shí)用新型]一種用于立式擴(kuò)散爐的石英舟有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201621216234.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN206225341U | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-06-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高鵬;劉陽(yáng);羅奕;張應(yīng)紅;孫寧;唐亮;高波;王巖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 桂林電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/673 | 分類號(hào): | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11340 | 代理人: | 但玉梅 |
| 地址: | 541004 廣西*** | 國(guó)省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 立式 擴(kuò)散 石英 | ||
1.一種用于立式擴(kuò)散爐的石英舟,包括石英舟本體,所述本體上設(shè)有用于放置硅片的舟槽,其特征在于:所述本體包括中空的中心筒、支撐板和石英棒,支撐板沿中心筒周向均勻設(shè)置在中心筒外側(cè)面上且相對(duì)中心筒軸心線平行;相鄰的所述支撐板間設(shè)有多根石英棒,所述石英棒間平行設(shè)置且對(duì)應(yīng)硅片的下部弧形間隔排列,所述石英棒朝向硅片一側(cè)均勻設(shè)置多個(gè)刻槽,石英棒間的刻槽一一對(duì)應(yīng)并共同構(gòu)成所述舟槽,所述舟槽以中心筒軸心線為中心相對(duì)呈放射性設(shè)置;所述中心筒位于兩相鄰支撐板之間設(shè)置有貫通中心筒內(nèi)腔的排氣口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于立式擴(kuò)散爐的石英舟,其特征在于:所述石英棒為圓弧結(jié)構(gòu)并沿中心筒周向設(shè)置,且所述刻槽沿石英棒圓弧的圓心呈放射性均勻設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于立式擴(kuò)散爐的石英舟,其特征在于:相鄰所述支撐板間的石英棒間相平行設(shè)置,且石英棒兩端到中心筒距離相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于立式擴(kuò)散爐的石英舟,其特征在于:所述刻槽的開(kāi)口處設(shè)有倒角,倒角之間夾角呈50-80°。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于立式擴(kuò)散爐的石英舟,其特征在于:所述石英棒由石英圈替代,所述石英圈與中心筒呈同心設(shè)置,并在支撐板設(shè)有對(duì)應(yīng)石英圈固定放置的卡槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于立式擴(kuò)散爐的石英舟,其特征在于:所述中心筒包括同軸設(shè)置的上筒體和下筒體,沿上筒體和下筒體軸心線設(shè)置等徑內(nèi)孔;所述下筒體外徑大于上筒體外徑大小;沿上筒體周向設(shè)置多個(gè)排氣口,所述支撐板設(shè)置在上筒體上并位于相鄰兩排氣口之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種用于立式擴(kuò)散爐的石英舟,其特征在于:所述中心筒上設(shè)置起吊槽,所述起吊槽位于排氣口上方且開(kāi)口朝下設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于立式擴(kuò)散爐的石英舟,其特征在于:還包括呈圓形的石英底盤(pán),所述石英底盤(pán)對(duì)應(yīng)同軸設(shè)置中心筒底部,并且所述石英底盤(pán)中間設(shè)置與中心筒內(nèi)徑大小的通孔;所述石英底盤(pán)下端面設(shè)置凸臺(tái),所述支撐板間上端面平齊,并設(shè)置與所述凸臺(tái)對(duì)應(yīng)的凹槽,所述凹槽底面與中心筒的上端面平齊;所述支撐板下端連接石英底盤(pán)上端面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種用于立式擴(kuò)散爐的石英舟,其特征在于:所述石英底盤(pán)的上端面設(shè)置與其同心的圓形凹槽,所述圓形凹槽的直徑大小對(duì)應(yīng)舟槽寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種用于立式擴(kuò)散爐的石英舟,其特征在于:所述石英底盤(pán)下端面的凸臺(tái)上還設(shè)置對(duì)應(yīng)中心筒上端的大小的底部凹槽;支撐板間上端面與中心筒的上端面平齊,在支撐板設(shè)置與凸臺(tái)對(duì)應(yīng)的環(huán)形凹槽。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





