[實(shí)用新型]一種TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201621192272.7
• 申請(qǐng)日: 2016-11-03
• 公開（公告）號(hào): CN206134675U
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王鍇;楊麗娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所31219
• 代理人: 王華英

1.一種TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

多個(gè)有源區(qū)，形成于所述襯底上；

淺溝槽隔離區(qū)，位于所述有源區(qū)兩側(cè)，適于將相鄰兩個(gè)所述有源區(qū)隔離；

多晶硅條，相互平行且呈指狀分布，所述多晶硅條沉積于所述有源區(qū)和/或所述淺溝槽隔離區(qū)上；

第一金屬線層，位于所述多晶硅條上方，且與所述多晶硅條電連接；

層間介質(zhì)層，填充于所述多晶硅條與所述第一金屬線層之間，適于隔離所述多晶硅條與所述第一金屬線層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅條沉積于所述有源區(qū)和/或所述淺溝槽隔離區(qū)上，包括以下五個(gè)部分：

第一部分，所述多晶硅條沉積于所述淺溝槽隔離區(qū)，且不覆蓋所述淺溝槽隔離區(qū)的邊緣；

第二部分，所述多晶硅條沉積于所述淺溝槽隔離區(qū)，且靠近所述淺溝槽隔離區(qū)邊緣的所述多晶硅條的邊緣與所述淺溝槽隔離區(qū)的邊緣相重合；

第三部分，所述多晶硅條的一部分沉積于所述淺溝槽隔離區(qū)，另一部分沉積于所述有源區(qū)，且所述多晶硅條覆蓋所述淺溝槽隔離區(qū)的邊緣；

第四部分，所述多晶硅條沉積于所述有源區(qū)，且靠近所述淺溝槽隔離區(qū)邊緣的所述多晶硅條的邊緣與所述淺溝槽隔離區(qū)的邊緣相重合；

第五部分，所述多晶硅條沉積于所述有源區(qū)，且不覆蓋所述淺溝槽隔離區(qū)的邊緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第二部分中，所述多晶硅條沉積于大塊的所述淺溝槽隔離區(qū)的中部位置，所述多晶硅條外周的所述淺溝槽隔離區(qū)內(nèi)嵌有四個(gè)小塊有源區(qū)，所述小塊有源區(qū)為矩形結(jié)構(gòu)，四個(gè)所述小塊有源區(qū)分別間隔位于所述多晶硅條底面四條邊的端部，且靠近所述多晶硅條底面四條邊的所述小塊有源區(qū)邊緣與所述多晶硅條底面四條邊相重合，靠近所述多晶硅條底面四條邊延長線的所述小塊有源區(qū)的邊緣與所述多晶硅條底面四條邊的延長線相重合。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第三部分中，包括所述有源區(qū)與所述淺溝槽隔離區(qū)依次沿著所述多晶硅條長度方向上和寬度方向上設(shè)置的兩種結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第四部分中，所述多晶硅條沉積于大塊的所述有源區(qū)的中部位置，所述多晶硅條外周的所述有源區(qū)內(nèi)嵌有四個(gè)小塊淺溝槽隔離區(qū)，所述小塊淺溝槽隔離區(qū)為矩形結(jié)構(gòu)，四個(gè)所述小塊淺溝槽隔離區(qū)分別間隔位于所述多晶硅條底面四條邊的端部，且靠近所述多晶硅條底面四條邊的所述小塊淺溝槽隔離區(qū)邊緣與所述多晶硅條底面四條邊相重合，靠近所述多晶硅條底面四條邊延長線的所述小塊淺溝槽隔離區(qū)的邊緣與所述多晶硅條底面四條邊的延長線相重合。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一部分和所述第五部分的所述多晶硅條均至少設(shè)置兩條，所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分的所述多晶硅條均設(shè)置有兩條。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅條與所述第一金屬線層之間設(shè)有金屬插塞，所述金屬插塞適于電連接所述多晶硅條與所述第一金屬線層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬線層通過測(cè)試金屬互連線電連接，并通過所述測(cè)試金屬互連線引出所述TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)外。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括形成于所述有源區(qū)上的柵氧化層，所述多晶硅條沉積于所述柵氧化層上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底為P型襯底或N型襯底。