[實用新型]一種SIM卡與SD卡共卡槽防燒卡電路

有效

• 申請號: 201621179894.6
• 申請日: 2016-11-03
• 公開（公告）號: CN206212067U
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 黃子愷;李高
• 申請（專利權）人: 碩諾科技（深圳）有限公司
• 主分類號: H04M1/02
• 分類號: H04M1/02
• 代理公司: 深圳市康弘知識產權代理有限公司44247
• 代理人: 胡朝陽,尹彥

技術領域

本實用新型涉及移動終端卡槽電路領域，尤其涉及一種SIM卡與SD 卡共卡槽防燒卡電路。

背景技術

目前市場上的移動終端設備比較流行SIM卡與SD卡共卡槽結構，且SIM卡在內，SD卡在外，由于這種卡槽結構設計，在拔插過程中，由于SD卡卡槽電路未及時下電，SIM卡碰到SD卡電源腳會有低概率燒毀SIM卡的現象。

實用新型內容

本實用新型的目的是針對上述現有技術存在的缺陷，提供一種SIM卡與SD 卡共卡槽防燒卡電路。

本實用新型提出的SIM卡與SD 卡共卡槽防燒卡電路，包括：串聯的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2，第一MOS管Q1分別與SD、SIM卡插拔狀態檢測引腳EINT連接和通過第一電阻R1與手機內部電源端VIO18_PMU連接， 第二MOS管Q2分別與SD卡供電電源端VMCH_PMU和SD卡電源接口SD-POWER連接，第一、第二MOS管Q1、Q2根據SD、SIM卡插拔狀態檢測引腳EINT的電平導通或截止來控制SD卡供電電源端VMCH_PMU和SD卡電源接口SD-POWER之間的的導通和隔離。

在一實施例中，當未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔狀態檢測引腳EINT被預設置為高電平時，第一電阻R1連接在手機內部電源端VIO18_PMU與第一MOS管Q1的柵極之間，第一MOS管Q1的源極與所述檢測引腳EINT連接，第一MOS管Q1的漏極同時與第二電阻R2的一端及第二MOS管Q2的柵極連接，第二電阻R2的另一端同時與SD卡供電電源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的源極連接，第二MOS管Q2的漏極與SD卡電源接口SD-POWER連接。

在第二實施例中，當未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔狀態檢測引腳EINT被預設置為低電平時，第一電阻R1的一端與手機內部電源端VIO18_PMU連接，另一端同時與第一MOS管Q1的柵極和所述檢測引腳EINT連接，第一MOS管Q1的源極接地，漏極同時與第二電阻R2的一端及第二MOS管Q2的柵極連接，第二電阻R2的另一端同時與SD卡供電電源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的漏極連接，第二MOS管Q2的源極與SD卡電源接口SD-POWER連接。

所述MOS管Q1為N-MOS管，MOS管Q2為P-MOS管。

與現有技術相比，本實用新型根據所述SD、SIM卡插拔狀態檢測引腳EINT電壓判斷SD卡的插拔狀態；根據所述SD卡的插拔狀態控制SD卡的電源通斷，通過簡單電路來控制SD卡的電源的打開或關閉，解決了因SD卡電源未斷開而導致的SIM卡燒卡的問題，提升了用戶體驗。

附圖說明

圖1為本實用新型卡托示意圖；

圖2為本實用新型實施例一的電路圖；

圖3為本實用新型實施例二的電路圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對實用新型進行詳細的說明。

本實用新型適用于如圖1所示的卡托，卡托內設置有卡槽，同時供SIM卡和SD插入，由于SIM、SD共卡槽，SIM、SD共用一個插拔狀態的檢測引腳EINT，所以當SIM插入時也會激活SD卡供電電路，對SD卡進行供電，且SD卡位于SIM卡的外側，這經常導致SIM卡被燒毀，主要包括以下四種情況：

1、拔出卡托的時候，SIM卡會經過SD卡供電電源端VMCH_PMU的位置，由于SD 卡不能及時下電，可能會燒毀SIM卡；

2、開機過程有短暫時間SD卡供電電源端VMCH_PMU默認是打開的，此時插入SIM卡可能會燒毀SIM卡；

3、半插入SIM卡后按開機鍵，開機過程有短暫時間SD卡供電電源端VMCH_PMU默認是打開的，可能會燒毀SIM卡；

4、卡托未放入SD卡(僅放入SIM卡)，插入卡托后仍會激活SD卡檢測引腳EINT，系統會打開SD卡供電電源端VMCH_PMU，此時拔出卡托可能會燒毀SIM卡。

綜上，給SD卡供電的電源可能會導致SIM卡燒毀，本實用新型提供了一種SIM卡與SD 卡共卡槽防燒卡電路，將手機內部電源端VIO18_PMU、SD卡供電電源端VMCH_PMU與SD卡電源接口SD-POWER隔離，并根據SD卡的插拔狀態控制SD卡的電源通斷，解決了因SD卡電源未斷開而導致的SIM卡燒卡的問題，提升了用戶體驗。