[實用新型]一種SIM卡與SD卡共卡槽防燒卡電路

有效

• 申請號: 201621179894.6
• 申請日: 2016-11-03
• 公開（公告）號: CN206212067U
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 黃子愷;李高
• 申請（專利權）人: 碩諾科技（深圳）有限公司
• 主分類號: H04M1/02
• 分類號: H04M1/02
• 代理公司: 深圳市康弘知識產權代理有限公司44247
• 代理人: 胡朝陽,尹彥

1.一種SIM卡與SD 卡共卡槽防燒卡電路，其特征在于，包括串聯的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2，第一MOS管Q1分別與SD、SIM卡插拔狀態檢測引腳EINT連接和通過第一電阻R1與手機內部電源端VIO18_PMU連接， 第二MOS管Q2分別與SD卡供電電源端VMCH_PMU和SD卡電源接口SD-POWER連接，第一、第二MOS管Q1、Q2根據SD、SIM卡插拔狀態檢測引腳EINT的電平導通或截止來控制SD卡供電電源端VMCH_PMU和SD卡電源接口SD-POWER之間的的導通和隔離。

2.如權利要求1所述的電路，其特征在于，當未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔狀態檢測引腳EINT被預設置為高電平時，第一電阻R1連接在手機內部電源端VIO18_PMU與第一MOS管Q1的柵極之間，第一MOS管Q1的源極與所述檢測引腳EINT連接，第一MOS管Q1的漏極同時與第二電阻R2的一端及第二MOS管Q2的柵極連接，第二電阻R2的另一端同時與SD卡供電電源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的源極連接，第二MOS管Q2的漏極與SD卡電源接口SD-POWER連接。

3.如權利要求1所述的電路，其特征在于，當未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔狀態檢測引腳EINT被預設置為低電平時，第一電阻R1的一端與手機內部電源端VIO18_PMU連接，另一端同時與第一MOS管Q1的柵極和所述檢測引腳EINT連接，第一MOS管Q1的源極接地，漏極同時與第二電阻R2的一端及第二MOS管Q2的柵極連接，第二電阻R2的另一端同時與SD卡供電電源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的漏極連接，第二MOS管Q2的源極與SD卡電源接口SD-POWER連接。

4.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一MOS管Q1為NMOS管，第二MOS管Q2為PMOS管。