[實用新型]一種鈍化層結構及背表面鈍化結構的太陽能電池

有效

• 申請號: 201621172134.2
• 申請日: 2016-10-26
• 公開（公告）號: CN206148439U
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 吳翔;陳璐;郭永剛;王舉亮;劉軍寶
• 申請（專利權）人: 國家電投集團西安太陽能電力有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所31251
• 代理人: 郭桂峰

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池技術領域，尤其涉及一種鈍化層結構及背表面鈍化結構的太陽能電池。

背景技術

光伏發電是當前利用太陽能的主要方式之一，太陽能光伏發電因其清潔、安全、便利、高效等特點，已成為世界各國普遍關注和重點發展的新興產業。因此，深入研究和利用太陽能資源，對緩解資源危機、改善生態環境具有十分重要的意義。

然而，電位誘發衰減效應(PID,Potential Induced Degradation)卻嚴重地影響了太陽能電池的壽命和性能。PID效應最早在2005年發現，指的是太陽能電池組件在野外環境和高電壓作用下，由于高溫、潮濕和逆變器陣列接地方式，引起的太陽能電池組件嚴重的腐蝕和功率的衰減。

電勢誘導衰減的原因主要歸結于太陽能電池組件的封裝材料－玻璃，玻璃內部的鈉離子往太陽能電池運動，破壞電池的p－n結，從而導致功率的衰減。針對這個問題，出現了以下兩種抗PID技術：

1、高折射率氮化硅減反膜，這種高折射率的氮化硅減反膜致密性高，能起到阻擋鈉離子的效果；

2、二氧化硅/氮化硅疊層技術，這種復合膜阻擋鈉離子的效果比前者稍好。

但是，由于目前電站企業對組件的抗PID的要求越來越高，上述方法已經難以滿足市場需求，因此急需開發更優異抗PID性能的電池。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種鈍化層結構及背表面鈍化結構的太陽能電池，以提高太陽能電池的抗PID效果。

為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案如下：

一種鈍化層結構，包括：

二氧化硅鈍化膜，沉積在一晶體硅襯底上；

第一氮化硅鈍化膜，沉積在所述二氧化硅鈍化膜上；

第二氮化硅鈍化膜，沉積在所述第一氮化硅鈍化膜上；

氮氧化硅鈍化膜，沉積在所述第二氮化硅鈍化膜上。

在本實用新型的一個實施例中，所述二氧化硅鈍化膜的厚度為3-5納米，其折射率為1.4～1.46。

在本實用新型的一個實施例中，所述第一氮化硅鈍化膜的厚度為15-20納米，其折射率為2.2～2.3。

在本實用新型的一個實施例中，所述第二氮化硅鈍化膜的厚度為50-60納米，其折射率為2.0～2.1。

在本實用新型的一個實施例中，所述氮氧化硅鈍化膜的厚度為10-15納米，其折射率為1.9～2.0。

一種背表面鈍化結構的太陽能電池，包括晶體硅襯底、局部鋁背場以及上述的鈍化層結構；其中，所述鈍化層結構和所述局部鋁背場依次沉積在所述晶體硅襯底的背表面上。

本實用新型由于采用以上技術方案，使之與現有技術相比，具有以下的優點和積極效果：

1)本實用新型提供的鈍化層結構采用二氧化硅鈍化膜、第一氮化硅鈍化膜、第二氮化硅鈍化膜、氮氧化硅鈍化膜組成的疊層鈍化膜結構，從而克服了氮化硅鈍化膜的界面缺陷密度高和硅氫鍵不穩定的缺點，解決了二氧化硅鈍化膜金屬離子阻擋能力差，易吸附水氣，光的減反效果不好等缺點。提高了太陽能電池抗PID的效果。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的鈍化層結構的結構示意圖。

標號說明：

101－晶體硅襯底，102－二氧化硅鈍化膜，103－第一氮化硅鈍化膜，104－第二氮化硅鈍化膜，105－氮氧化硅鈍化膜

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本實用新型提出的鈍化層結構及背表面鈍化結構的太陽能電池作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。

請參考圖1，其中，圖1為本實用新型實施例提供的鈍化層結構的結構示意圖，如圖1所示，本實用新型提供的鈍化層結構，包括：

二氧化硅鈍化膜102，沉積在一晶體硅襯底101上；

第一氮化硅鈍化膜103，沉積在所述二氧化硅鈍化膜102上；

第二氮化硅鈍化膜104，沉積在所述第一氮化硅鈍化膜103上；

氮氧化硅鈍化膜105，沉積在所述第二氮化硅鈍化膜104上。