[實用新型]一種鈍化層結構及背表面鈍化結構的太陽能電池有效
| 申請號： | 201621172134.2 | 申請日： | 2016-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN206148439U | 公開（公告）日： | 2017-05-03 |
| 發明（設計）人： | 吳翔;陳璐;郭永剛;王舉亮;劉軍寶 | 申請（專利權）人： | 國家電投集團西安太陽能電力有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 上海碩力知識產權代理事務所31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 710100 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鈍化 結構 表面 太陽能電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種鈍化層結構，其特征在于，包括：
二氧化硅鈍化膜，沉積在一晶體硅襯底上；
第一氮化硅鈍化膜，沉積在所述二氧化硅鈍化膜上；
第二氮化硅鈍化膜，沉積在所述第一氮化硅鈍化膜上；
氮氧化硅鈍化膜，沉積在所述第二氮化硅鈍化膜上。
2.如權利要求1所述的鈍化層結構，其特征在于，所述二氧化硅鈍化膜的厚度為3-5納米，其折射率為1.4～1.46。
3.如權利要求1所述的鈍化層結構，其特征在于，所述第一氮化硅鈍化膜的厚度為15-20納米，其折射率為2.2～2.3。
4.如權利要求1所述的鈍化層結構，其特征在于，所述第二氮化硅鈍化膜的厚度為50-60納米，其折射率為2.0～2.1。
5.如權利要求1所述的鈍化層結構，其特征在于，所述氮氧化硅鈍化膜的厚度為10-15納米，其折射率為1.9～2.0。
6.一種背表面鈍化結構的太陽能電池，其特征在于，包括晶體硅襯底、局部鋁背場以及如權利要求1至5任一項所述的鈍化層結構；其中，所述鈍化層結構和所述局部鋁背場依次沉積在所述晶體硅襯底的背表面上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
