[實用新型]電路保護組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201621126816.X
• 申請日: 2016-10-17
• 公開（公告）號: CN206272921U
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊銓銓;劉玉堂;范榮;方勇;吳國臣
• 申請（專利權(quán)）人: 上海長園維安電子線路保護有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02
• 代理公司: 上海東亞專利商標代理有限公司31208
• 代理人: 董梅

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種電路保護組件，特別是一種將具有電阻正溫度效應(yīng)的保護元件內(nèi)置于覆銅箔層壓板中的電路保護組件，以節(jié)省電路保護元件的安裝空間。

背景技術(shù)

聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料在正常溫度下可維持較低的電阻值，具有對溫度變化反應(yīng)敏銳的特性，即當(dāng)電路中發(fā)生過電流或過高溫現(xiàn)象時，其電阻會瞬間增加到一高阻值，使電路處于斷路狀態(tài)，以達到保護電路元件的目的。因此可把聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料制備的保護元件連接到電路中，作為電流傳感元件的材料。此類材料已被廣泛應(yīng)用于電子線路保護元器件上。

隨著智能移動終端的發(fā)展，電子元器件大電流和小型化是發(fā)展的趨勢。然而，傳統(tǒng)的裝配在線路板表面的電路保護元件受到越來越有限的空間限制，如需進一步提升性能時，空間的限制致使其性能提升及其有限，如果將電路保護元件內(nèi)置于覆銅箔層壓板內(nèi)部，既可以大幅減小電路保護元件厚度帶來的影響，又給電路保護元件的面積帶來較大的可設(shè)計空間。并且，電路保護元件被密封在覆銅箔層壓板內(nèi)部，很大程度上降低了外界環(huán)境對其的影響，因此具有較好的環(huán)境可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型涉及一種電路保護組件，不但可以節(jié)省電路保護元件的安裝空間，且具有良好的環(huán)境可靠性。

本實用新型的電路保護組件，包含由兩個金屬電極片間緊密夾固聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料層構(gòu)成的具有電阻正溫度效應(yīng)的保護元件，還包括：

（a）覆銅箔層壓板，中間有保護元件容置空間，所述的具有電阻正溫度效應(yīng)的保護元件設(shè)在容置空間內(nèi)；

（b）導(dǎo)電部件，使所述具有電阻正溫度效應(yīng)的保護元件和被保護電路電氣連接；其中，所述聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料層包含至少一種聚合物基材和至少一種電阻率低于100μΩ.cm的導(dǎo)電粉末，所述導(dǎo)電粉末粒徑分布范圍在0.1μm～50μm之間。

將保護元件內(nèi)置于覆銅箔層壓板內(nèi)部，既可以大幅減小電路保護元件厚度帶來的影響，并且，很大程度上降低了外界環(huán)境對保護元件的影響，具有較好的環(huán)境可靠性。

在上述方案基礎(chǔ)上,所述覆銅箔層壓板按結(jié)構(gòu)是單層、雙層或多層板，采用紙基、玻璃纖維布基、紙基和玻璃纖維布復(fù)合基板、陶瓷基基板，在基板上下覆蓋膠粘層后與銅箔復(fù)合。

在上述方案基礎(chǔ)上,所述的膠粘層采用酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酯樹脂、雙馬來酰亞胺改性三嗪樹脂、聚酰亞胺樹脂、二亞苯基醚樹脂、馬來酸酐亞胺-苯乙烯樹脂、聚氰酸酯樹脂、聚烯烴樹脂中的一種或其組合。

在上述方案基礎(chǔ)上,所述聚合物基材為：聚乙烯、氯化聚乙烯、氧化聚乙烯、聚氯乙烯、丁二烯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚甲醛、酚醛樹脂、聚四氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、聚三氟乙烯、聚氟乙烯、馬來酸酐接枝聚乙烯、聚丙烯、聚偏氟乙烯、環(huán)氧樹脂、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯-丙烯酸共聚物中的一種及其混合物。

在上述方案基礎(chǔ)上,所述導(dǎo)電粉末選自:碳系導(dǎo)電粉末、金屬粉末、導(dǎo)電陶瓷粉末及它們的混合物。

在上述方案基礎(chǔ)上,所述碳系導(dǎo)電粉末為：碳黑、碳纖維、碳納米管、石墨、石墨烯及它們的混合物。

在上述方案基礎(chǔ)上,所述金屬粉末為：銅、鎳、鈷、鐵、鎢、錫、鉛、銀、金、鉑或其合金中的一種及其混合物。

在上述方案基礎(chǔ)上,所述導(dǎo)電陶瓷粉末為：金屬氮化物、金屬碳化物、金屬硼化物、金屬硅化物、層狀結(jié)構(gòu)陶瓷粉之中的一種或幾種的混合物。

在上述方案基礎(chǔ)上,所述金屬硼化物為硼化鉭、二硼化鉭、硼化釩、二硼化釩、二硼化鋯、二硼化鈦、硼化鈮、二硼化鈮、硼化二鉬、五硼化二鉬、二硼化鉿、硼化二鎢、硼化鎢、硼化二鉻、硼化鉻、二硼化鉻或三硼化五鉻之中的一種。

在上述方案基礎(chǔ)上,所述氮化物為氮化鉭、氮化釩、氮化鋯、氮化鈦、氮化鈮或氮化鉿中的一種。

在上述方案基礎(chǔ)上,所述碳化物為碳化鉭、碳化釩、碳化鋯、碳化鈦、碳化鈮、碳化二鉬、碳化鉿、碳化鎢、碳化二鎢或二碳化三鉻之中的一種。

在上述方案基礎(chǔ)上,所述硅化物為二硅化鉭、三硅化五鉭、硅化三釩、二硅化釩、二硅化鋯、二硅化鈦、三硅化五鈦、二硅化鈮、二硅化鉬、二硅化鉿、二硅化鎢、硅化三鉻或二硅化鉻之中的一種。