[實用新型]用于測試硅片臭氧氧化層親水性的組合裝置有效
| 申請號： | 201621124806.2 | 申請日： | 2016-10-14 |
| 公開（公告）號： | CN206134651U | 公開（公告）日： | 2017-04-26 |
| 發明（設計）人： | 郭威;王斌;何悅;胡克喜;任勇;李志剛;王在發 | 申請（專利權）人： | 尚德太陽能電力有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司31002 | 代理人： | 王潔,鄭暄 |
| 地址： | 201114 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 測試 硅片 臭氧 氧化 親水性 組合 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于測試硅片臭氧氧化層親水性的組合裝置，其特征在于，所述的組合裝置包括：
載片裝置，所述的載片裝置包括支撐硅片的支撐面及穩固硅片的抵擋條，所述的支撐面的底邊與所述的抵擋條相平行，使硅片以30度的角度斜靠于所述的支撐面的頂邊與所述的抵擋條之間，
取水裝置，所述的取水裝置為20μL的移液槍。
2.根據權利要求1所述的用于測試硅片臭氧氧化層親水性的組合裝置，其特征在于，所述的組合裝置還包括用以記錄測試過程的攝像設備。
3.根據權利要求1所述的用于測試硅片臭氧氧化層親水性的組合裝置，其特征在于，所述的載片裝置還包括連接支撐面的底邊與抵擋條的連接面，所述的抵擋條設置于所述的連接面上。
4.根據權利要求1所述的用于測試硅片臭氧氧化層親水性的組合裝置，其特征在于，所述的載片裝置具有可放置若干個硅片同時進行測試的長度。
5.根據權利要求1所述的用于測試硅片臭氧氧化層親水性的組合裝置，其特征在于，斜靠于所述的載片裝置上的硅片的上邊沿滴有用所述的20μL的移液槍形成的水滴。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
