[實用新型]一種地磚多弧離子磁控鍍膜機

有效

• 申請號: 201621103139.X
• 申請日: 2016-09-29
• 公開（公告）號: CN206188879U
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 劉毅
• 申請（專利權）人: 深圳市傲創源科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/32
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙)11350
• 代理人: 湯東鳳

技術領域

本實用新型涉及鍍膜設備技術領域，具體為一種地磚多弧離子磁控鍍膜機。

背景技術

隨著科技的不斷發展，物料表面的鍍膜技術也在不斷地發展，起始的鍍膜技術，一般都是先對物料表面進行烘烤，然后把需要鑲嵌的膜貼敷在物料表面，從而實現對物料表面鍍膜的目的。但是這種鍍膜方法使用條件有限，而且所鍍的膜容易脫落。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種地磚多弧離子磁控鍍膜機，以解決上述背景技術中提出的鍍膜技術使用條件有限和鍍膜不牢固的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案，一種地磚多弧離子磁控鍍膜機，包括進料口、瓷磚監測頭、閥門控制器、閥門、真空室、物料承接板、磁場線圈、水冷容器、輸送裝置、電機、出料口、陽極接地導線、陰極導線和控制開關，所述進料口上端設有瓷磚監測頭，且瓷磚監測頭上端連接閥門控制器，所述閥門控制器右端安裝有閥門，且閥門右端設有真空室，所述真空室下表面設有物料承接板，且物料承接板下端設有磁場線圈，所述磁場線圈下部安裝有水冷容器，所述物料承接板左右兩側連接輸送裝置，其輸送裝置下部設有電機，且輸送裝置右側末端設有出料口，所述陽極接地導線上端連接真空室，且其下端連接地面，所述陰極導線上端連接物料承接板，且其下端連接控制開關。

優選的，所述進料口和出料口關于真空室對稱安置。

優選的，所述閥門為活動結構。

優選的，所述水冷容器與物料承接板銜接處填充有硅膠。

優選的，所述控制開關為螺旋調節形式，且其電壓調節范圍0-1KV,其電流調節范圍0-75A。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：該地磚多弧離子磁控鍍膜機在真空的條件下，對物料進行通電，利用陰粒子在磁場的環境下向著陽極吸附實現鍍膜，不僅能夠提高鍍膜的牢固性，還不受物料的材質局限，實現鍍膜。在對物料鍍膜前，負偏壓先去除物料表面所沾染的氣體和污染物，在涂層期間，又為離子提供能量，使涂層與物料緊密結合，控制開關為螺旋調節形式，可以根據不同的物料，來選擇涂層顆粒物的大小和數量，水冷容器與物料承接板銜接處填充有硅膠，能夠在設備在涂層期間，更好吸附真空室內的溫度，避免溫度過高，而對物料造成損壞。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

圖中：1、進料口，2、瓷磚監測頭，3、閥門控制器，4、閥門，5、真空室，6、物料承接板，7、磁場線圈，8、水冷容器，9、輸送裝置，10、電機，11、出料口，12、陽極接地導線，13、陰極導線，14、控制開關。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

請參閱圖1，本實用新型提供一種技術方案：一種地磚多弧離子磁控鍍膜機，包括進料口1、瓷磚監測頭2、閥門控制器3、閥門4、真空室5、物料承接板6、磁場線圈7、水冷容器8、輸送裝置9、電機10、出料口11、陽極接地導線12、陰極導線13和控制開關14，進料口1上端設有瓷磚監測頭2，且瓷磚監測頭2上端連接閥門控制器3，進料口1和出料口11關于真空室5對稱安置，閥門控制器3右端安裝有閥門4，且閥門4右端設有真空室5，閥門4為活動結構，真空室5下表面設有物料承接板6，且物料承接板6下端設有磁場線圈7，磁場線圈7下部安裝有水冷容器8，水冷容器8與物料承接板6銜接處填充有硅膠，能夠在設備在涂層期間，更好吸附真空室5內的溫度，物料承接板6左右兩側連接輸送裝置9，其輸送裝置9下部設有電機10，且輸送裝置9右側末端設有出料口11，陽極接地導線12上端連接真空室5，且其下端連接地面，陰極導線13上端連接物料承接板6，且其下端連接控制開關14，控制開關14為螺旋調節形式，且其電壓調節范圍0-1KV,其電流調節范圍0-75A，可以根據不同的物料，來選擇涂層顆粒物的大小和數量。