[實用新型]一種地磚多弧離子磁控鍍膜機有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201621103139.X | 申請日: | 2016-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN206188879U | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉毅 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市傲創(chuàng)源科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/32 |
| 代理公司: | 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 地磚 離子 鍍膜 | ||
1.一種地磚多弧離子磁控鍍膜機,包括進(jìn)料口(1)、瓷磚監(jiān)測頭(2)、閥門控制器(3)、閥門(4)、真空室(5)、物料承接板(6)、磁場線圈(7)、水冷容器(8)、輸送裝置(9)、電機(10)、出料口(11)、陽極接地導(dǎo)線(12)、陰極導(dǎo)線(13)和控制開關(guān)(14),其特征在于:所述進(jìn)料口(1)上端設(shè)有瓷磚監(jiān)測頭(2),且瓷磚監(jiān)測頭(2)上端連接閥門控制器(3),所述閥門控制器(3)右端安裝有閥門(4),且閥門(4)右端設(shè)有真空室(5),所述真空室(5)下表面設(shè)有物料承接板(6),且物料承接板(6)下端設(shè)有磁場線圈(7),所述磁場線圈(7)下部安裝有水冷容器(8),所述物料承接板(6)左右兩側(cè)連接輸送裝置(9),其輸送裝置(9)下部設(shè)有電機(10),且輸送裝置(9)右側(cè)末端設(shè)有出料口(11),所述陽極接地導(dǎo)線(12)上端連接真空室(5),且其下端連接地面,所述陰極導(dǎo)線(13)上端連接物料承接板(6),且其下端連接控制開關(guān)(14)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種地磚多弧離子磁控鍍膜機,其特征在于:所述進(jìn)料口(1)和出料口(11)關(guān)于真空室(5)對稱安置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種地磚多弧離子磁控鍍膜機,其特征在于:所述閥門(4)為活動結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種地磚多弧離子磁控鍍膜機,其特征在于:所述水冷容器(8)與物料承接板(6)銜接處填充有硅膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種地磚多弧離子磁控鍍膜機,其特征在于:所述控制開關(guān)(14)為螺旋調(diào)節(jié)形式,且其電壓調(diào)節(jié)范圍0-1KV,其電流調(diào)節(jié)范圍0-75A。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





