[實用新型]一種顯示基板、顯示面板及鍍膜裝置有效
| 申請號: | 201621065984.2 | 申請日: | 2016-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN206516632U | 公開(公告)日: | 2017-09-22 |
| 發明(設計)人: | 井楊坤 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G02F1/136;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 230012 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 鍍膜 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板、顯示面板及鍍膜裝置。
背景技術
目前,在薄膜的濺射工藝中,靶源經濺射沉積在基板上結晶形成薄膜,薄膜的性能與結晶溫度密切相關,結晶溫度不同,形成的薄膜的致密性不同,為了滿足實際需求需要在特定溫度結晶下,才能形成滿足需求的薄膜。但是,如果正在制備的膜層所需的結晶溫度高于下方已經制備好的膜層的沸點,該已制備好的膜層的材料就會蒸發滲透進入正在制備的膜層中,對正在制備的膜層造成污染,導致其成膜質量下降。例如,在彩膜基板上制備氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)薄膜時,一般低溫結晶的ITO膜層不夠致密,且電阻率偏高,容易造成顯示異常,出現云紋(mura),因而需要采用高溫結晶,但是由于ITO膜層的結晶溫度較高,彩膜基板上已經制備的色阻會因高溫而蒸發,對制備的ITO膜層造成污染,導致降低ITO薄膜的成膜質量。
實用新型內容
本實用新型實施例的目的是提供一種顯示基板、顯示面板及鍍膜裝置,用于解決在濺射膜層的過程中,已制備的膜層因高溫蒸發對正在制備的膜層造成污染,導致成膜質量下降的問題。
本實用新型實施例的目的是通過以下技術方案實現的:
一種顯示基板,包括襯底基板,在襯底基板上依次層疊的第一膜層、保護膜層和第二膜層;其中,所述保護膜層的結晶溫度低于所述第一膜層的材 料的沸點;所述第二膜層的結晶溫度高于所述第一膜層的材料的沸點;
所述第二膜層的材料的沸點高于所述第一膜層的材料的沸點,所述保護膜層的材料的沸點不低于所述第二膜層的材料的沸點。
較佳地,所述第一膜層為色阻層;所述第二膜層為透明電極層;所述保護膜層的材料為透明導電材料。
較佳地,所述保護膜層的材料為石墨烯、透明金屬或者透明金屬氧化物。
較佳地,所述保護膜層的材料與所述第二膜層的材料相同。
較佳地,所述色阻層的材料為二苯甲酮亞胺;所述透明電極層的材料為ITO;所述保護膜層的材料為ITO。
較佳地,所述保護膜層的結晶溫度的范圍為100攝氏度~150攝氏度;所述第二膜層的結晶溫度的范圍為200攝氏度~250攝氏度。
較佳地,所述保護膜層的結晶溫度為130攝氏度;所述第二膜層的結晶溫度為230攝氏度。
較佳地,所述保護膜層的膜層厚度與所述第二膜層的膜層厚度的比值范圍為1:9~1:1。
一種顯示面板,包括如以上任一項所述的顯示基板。
本實用新型實施例的有益效果如下:
本實用新型實施例提供的顯示基板和顯示面板中,由于在第一膜層上設置保護膜層,該保護膜層的材料的沸點比較高,因而在一定高溫下比第一膜層穩定,可以將第一膜層保護起來,在高于第一膜層的材料的沸點的結晶溫度下濺射第二膜層的時候,該保護膜層就可以阻止第一膜層的材料蒸發出來污染第二膜層,保證了第二膜層的成膜質量。
一種鍍膜裝置,包括腔室;所述腔室內設置有:
用于在形成有第一膜層的襯底基板上利用第二膜層的材料進行第一次濺射,以形成保護膜層,以及在形成有所述保護膜層的襯底基板上利用第二膜 層的材料進行第二次濺射,以形成第二膜層的鍍膜單元;其中,所述保護膜層的結晶溫度低于所述第一膜層的材料的沸點;所述第二膜層的結晶溫度高于所述第一膜層的材料的沸點;所述第二膜層的材料的沸點高于所述第一膜層的材料的沸點;
用于控制所述保護膜層和第二膜層的結晶溫度,以及在形成有所述保護膜層的襯底基板上利用第二膜層的材料進行第二次濺射之前,對所述保護膜層進行退火處理的加熱退火單元。
較佳地,所述加熱退火單元位于所述腔室的底部,所述鍍膜單元位于所述腔室的頂部;
或者,所述加熱退火單元位于所述腔室的頂部,所述鍍膜單元位于所述腔室的底部。
較佳地,所述鍍膜裝置為磁控濺射鍍膜裝置。
本實用新型實施例的有益效果如下:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





