[實(shí)用新型]一種顯示基板、顯示面板及鍍膜裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201621065984.2 | 申請(qǐng)日： | 2016-09-20 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN206516632U | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 井楊坤 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/32;G02F1/136;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 230012 安徽*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 顯示 面板 鍍膜 裝置 | ||
1.一種顯示基板，其特征在于，包括襯底基板，在襯底基板上依次層疊的第一膜層、保護(hù)膜層和第二膜層；其中，所述保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度低于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)；所述第二膜層的結(jié)晶溫度高于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)；
所述第二膜層的材料的沸點(diǎn)高于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)，所述保護(hù)膜層的材料的沸點(diǎn)不低于所述第二膜層的材料的沸點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述第一膜層為色阻層；所述第二膜層為透明電極層；所述保護(hù)膜層的材料為透明導(dǎo)電材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述保護(hù)膜層的材料為石墨烯、透明金屬或者透明金屬氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述保護(hù)膜層的材料與所述第二膜層的材料相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述色阻層的材料為二苯甲酮亞胺；所述透明電極層的材料為氧化銦錫ITO；所述保護(hù)膜層的材料為ITO。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度的范圍為100攝氏度～150攝氏度；所述第二膜層的結(jié)晶溫度的范圍為200攝氏度～250攝氏度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示基板，其特征在于，所述保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度為130攝氏度；所述第二膜層的結(jié)晶溫度為230攝氏度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述保護(hù)膜層的膜層厚度與所述第二膜層的膜層厚度的比值范圍為1:9～1:1。
9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的顯示基板。
10.一種鍍膜裝置，包括腔室；其特征在于，所述腔室內(nèi)設(shè)置有：
用于在形成有第一膜層的襯底基板上利用第二膜層的材料進(jìn)行第一次濺射，以形成保護(hù)膜層，以及在形成有所述保護(hù)膜層的襯底基板上利用第二膜層的材料進(jìn)行第二次濺射，以形成第二膜層的鍍膜單元；其中，所述保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度低于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)；所述第二膜層的結(jié)晶溫度高于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)；所述第二膜層的材料的沸點(diǎn)高于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)；
用于控制所述保護(hù)膜層和第二膜層的結(jié)晶溫度，以及在形成有所述保護(hù)膜層的襯底基板上利用第二膜層的材料進(jìn)行第二次濺射之前，對(duì)所述保護(hù)膜層進(jìn)行退火處理的加熱退火單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述加熱退火單元位于所述腔室的底部，所述鍍膜單元位于所述腔室的頂部；
或者，所述加熱退火單元位于所述腔室的頂部，所述鍍膜單元位于所述腔室的底部。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述鍍膜裝置為磁控濺射鍍膜裝置。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
