[實用新型]內置IC的集成功率場效應管

有效

• 申請號: 201620985505.2
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN206163484U
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 魏廣乾
• 申請（專利權）人: 重慶凱西驛電子科技有限公司
• 主分類號: H01L25/04
• 分類號: H01L25/04;H01L29/78;H01L23/367;H01L23/46
• 代理公司: 重慶強大凱創專利代理事務所(普通合伙)50217
• 代理人: 蒙捷

技術領域

本實用新型屬于電學領域，涉及一種內置IC的集成功率場效應管。

背景技術

目前市場上LED的運用相當廣泛，由于LED是特性敏感的半導體器件，又具有負溫度特性，因而在應用過程中需要對其進行穩定工作狀態和保護，從而產生了驅動的概念。LED器件對驅動電源的要求近乎于苛刻，LED不像普通的白熾燈泡，可以直接連接220V的交流市電。LED是2～3伏的低電壓驅動，必須要設計復雜的變換電路，不同用途的LED燈，要配備不同的電源適配器。國際市場上國外客戶對LED驅動電源的效率轉換、有效功率、恒流精度、電源壽命、電磁兼容的要求都非常高，設計一款好的電源必須要綜合考慮這些因數，因為電源在整個燈具中的作用就好比像人的心臟一樣重要。而LED驅動器中最重要的驅動元件除了變壓器以外，就是功率MOS FET和集成IC了。金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）因其低柵極驅動功率、快速切換速度以及出色的并聯性能等特性，常被用于功率器件。

然而，LED驅動器雖然現廣泛應用但是也會存在電流、電壓難以完好匹配的問題，尤其是MOSFET管和集成IC的電參片匹配度不一定完全同步，會導致電路元件的損壞，MOSFET管和集成IC如圖1所示分開設置。在選用前，兩者需要經過很嚴格的參數篩選，篩選過程繁瑣，而且可能還是會出錯，導致MOSFET管和集成IC電參片仍然不同步。另一方面，MOSFET管的芯片并未完全利用起來，MOSFET管的芯片材料被浪費掉。

實用新型內容

本實用新型意在提供一種內置IC的集成功率場效應管，以解決MOSFET管和IC電參片匹配不精確的問題。

為了達到上述目的，本實用新型的基礎方案提供一種內置IC的集成功率場效應管，將IC芯片置于MOSFET內部。

基礎方案的原理和有益效果在于：將IC芯片置于MOSFET內部，這樣在封裝和測試MOSFET時，測試系統自動篩選掉參數匹配不精確的產品，這樣能夠有效地保證LED驅動電源中MOSFET與集成IC電參數的精確匹配。

優選方案一：此方案為基礎方案的優選，所述MOSFET管芯片上設有直接通過光刻得到的IC芯片電路。

本方案的原理和有益效果在于， 提供一種簡單可行結構，將集成IC芯片的電路直接光刻到MOSFET管的內部，實現IC芯片和MOSFET管的一體化，兩個元件變成了一個元件，生產成本降低，結構更加緊湊，電路板的體積也會變小，也會節約成本，同時MOSFET的封裝和測試都會更加簡單；另外，一體化有利于電路的優化，減少的電路中的能耗，集成后的MOSFET電流密度更高，電參數更集中。因為一體成型，加工時不容易出現MOSFET管和IC電參片不匹配的問題，而且一體的結構再測試時精確度更高，達到了優化電路和降低成本的效果。

優選方案二：作為優選方案一的優選，MOSFET的襯底的材料為100晶面的Si晶體。

本方案提供了一種襯底的材料，即可以在上面加工MOSFET管，也能在上面光刻IC芯片。

優選方案三：作為優選方案一的優選，還包括直接光刻在MOSFET板芯片上的導線，所述導線連接所述IC芯片的引腳與對應的MOSFET管引腳。

本方案的原理和有益效果在于，將連接MOSFET管引腳與IC芯片引腳的導線也用光刻的方式設置在MOSFET芯片上，進一步增加了產品的整體性，使結構更加緊湊，沒有多余的需要人工連接的導線，減小出錯的概率。

優選方案四：作為優選方案一的優選，還包括封殼、第一引腳、第二引腳、第三引腳和散熱片，所述散熱片固定安裝在封殼一側面，安裝散熱片封殼側面的對側面上固定安裝有第一引腳、第二引腳與第三引腳，所述第一引腳和第三引腳彎折，第一引腳彎折處與水平面的角度為30-45度，第三引腳彎折處與水平面的角度為30-45度。

本方案的原理和有益效果在于，散熱片設置在與有第一引腳、第二引腳與第三引腳對側的封殼側面上，用于對封殼內電極的散熱，避免發熱損壞。第一引腳向下彎折與第三引腳向下彎折，30-45度能夠保證MOSFET管能夠良好的焊接，若小于30度，可能會與其他元件干擾，擾亂元件工作，若大于45度，整個三極管容易形成立式安裝，焊接的時候穩定性不好。

優選方案五：作為優選方案一的優選，還包括封殼，所述封殼內部為裝有酒精的腔體，封殼上方有網狀管道，所述網狀管道與腔體連通。