[實用新型]內置IC的集成功率場效應管

有效

• 申請號: 201620985505.2
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN206163484U
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 魏廣乾
• 申請（專利權）人: 重慶凱西驛電子科技有限公司
• 主分類號: H01L25/04
• 分類號: H01L25/04;H01L29/78;H01L23/367;H01L23/46
• 代理公司: 重慶強大凱創專利代理事務所(普通合伙)50217
• 代理人: 蒙捷

1.一種內置IC的集成功率場效應管，包括MOSFET管，其特征在于，還包括IC芯片，IC芯片置于MOSFET內部，所述MOSFET管的芯片上光刻有IC芯片的電路；還包括直接光刻在MOSFET板芯片上的導線，所述導線連接所述IC芯片的引腳與對應的MOSFET管引腳。

2.如權利要求1所述的內置IC的集成功率場效應管，其特征在于，MOSFET的襯底的材料為100晶面的Si晶體。

3.如權利要求1所述的內置IC的集成功率場效應管，其特征在于，還包括封殼、第一引腳、第二引腳、第三引腳和散熱片，所述散熱片固定安裝在封殼一側面，安裝散熱片封殼側面的對側面上固定安裝有第一引腳、第二引腳與第三引腳，所述第一引腳和第三引腳彎折，第一引腳彎折處與水平面的角度為30-45度，第三引腳彎折處與水平面的角度為30-45度。

4.如權利要求1所述的內置IC的集成功率場效應管，其特征在于，還包括封殼，所述封殼內部為裝有酒精的腔體，封殼上方有網狀管道，所述網狀管道與腔體連通。