[實用新型]顯示裝置及其電容結構

有效

• 申請號: 201620958557.0
• 申請日: 2016-08-26
• 公開（公告）號: CN206210790U
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 荊冬冬;孟哲宇
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 唐清凱

技術領域

本實用新型涉及顯示器技術領域，特別是涉及一種顯示裝置及其電容結構。

背景技術

在集成電路制造工藝中，電容結構為常見的無源器件，通常采用MIM(Metal-Insulator-Metal)結構實現。

一般地，如圖1所示，電容結構20設置在基板10上，電容結構20包括第一電容極板21、電容介電層22以及第二電容極板23。第一電容極板21形成于基板10上，電容介電層22位于第一電容極板21上，第二電容極板23形成于電容介電層22上。再參考圖1，由于第一電容極板21采用干刻的方式形成，從而第一電容極板21的邊緣有坡度，從而在第一電容極板21的整個表面上沉積電容介電層22后，仍然存在坡度。由于成膜階梯覆蓋率問題，坡度處的膜厚相比于平臺處的膜厚要偏薄且膜質也相對較差，從而使得電容在該處容易出現擊穿或短路。

實用新型內容

基于此，有必要針對如何降低電容擊穿或短路幾率的問題，提供一種顯示裝置及其電容結構。

一種電容結構，所述電容結構位于基板上，其中，所述電容結構包括：

第一極板，所述第一極板位于所述基板上；

平坦化介電膜層，所述平坦化介電膜層形成于所述第一極板上，且所述平坦化介電膜層的遠離所述第一極板的表面與所述基板的靠近所述第一極板的表面平行；以及

第二極板，所述第二極板位于所述平坦化介電膜層上。

上述電容結構，第一極板位于基板上，平坦化介電膜層形成于第一極板上，且平坦化介電膜層的遠離第一極板的表面與基板的靠近第一極板的表面平行，再在平坦化介電膜層上形成第二極板，從而使得第一極板的邊緣的坡度處也被完全覆蓋，且在一定的程度上增加了該處的厚度，進而降低電容擊穿或短路幾率。

在其中一個實施例中，所述平坦化介電膜層的成膜均勻度小于等于10％。

在其中一個實施例中，所述平坦化介電膜層的最大厚度為所述第一極板的厚度的兩倍及以上，其中，所述平坦化介電膜層的最小厚度為所述平坦化介電膜層的遠離所述第一極板的表面與所述基板的靠近所述第一極板的表面之間的最小距離。

在其中一個實施例中，所述平坦化介電膜層包括依次層疊的第一平坦化介電膜層和第二平坦化介電膜層。

在其中一個實施例中，所述第一平坦化介電膜層為氮化硅膜層和/或氧化硅膜層，所述第二平坦化介電膜層為氮化硅膜層和/或氧化硅膜層。

在其中一個實施例中，所述第二極板的厚度大于等于所述第一極板的厚度。

在其中一個實施例中，所述第一極板為半導體溝道層，所述第二極板為柵極金屬層。

一種顯示裝置，包括上述電容結構。

上述顯示裝置，不易被擊穿或短路。

附圖說明

圖1為通常的電容結構的結構示意圖；

圖2為一實施例的電容結構的結構示意圖圖；

圖3為一實施例的MOS三極管的結構示意圖。

具體實施方式

如圖2所示，一實施例的電容結構100包括第一極板110、平坦化介電膜層120以及第二極板130。電容結構100位于基板200上。基板200可以為玻璃基板或聚酰亞胺基板等。

第一極板110、平坦化介電膜層120以及第二極板130依次層疊。在本實施例中，第一極板110為第一電容極板，第一極板110位于基板200上。在基板200上形成金屬層，再對該金屬層進行干刻，得到第一極板110。采用干刻的方式得到的第一極板110的邊緣有坡度。

平坦化介電膜層120形成于第一極板110上，且平坦化介電膜層120的遠離第一極板110的表面與基板200的靠近第一極板110的表面平行，從而平坦化介電膜層120的遠離第一極板110的表面為平面，從而使得第一電極的邊緣的坡度處也被完全覆蓋，且在一定的程度上增加了坡度處的厚度，進而降低電容擊穿或短路幾率。

此外，平坦化介電膜層120可以為氮化硅膜層、氧化硅膜層或氮化硅和氧化硅的摻雜膜層。需要說明的是，平坦化介電膜層120也可以由其他介電材料制成。