[實用新型]顯示裝置及其電容結構有效
| 申請號： | 201620958557.0 | 申請日： | 2016-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN206210790U | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 荊冬冬;孟哲宇 | 申請（專利權）人： | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人： | 唐清凱 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示裝置 及其 電容 結構 | ||
1.一種電容結構，所述電容結構位于基板上，其特征在于，所述電容結構包括：
第一極板，所述第一極板位于所述基板上；
平坦化介電膜層，所述平坦化介電膜層形成于所述第一極板上，且所述平坦化介電膜層的遠離所述第一極板的表面與所述基板的靠近所述第一極板的表面平行；以及
第二極板，所述第二極板位于所述平坦化介電膜層上。
2.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述平坦化介電膜層的成膜均勻度小于等于10％。
3.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述平坦化介電膜層的最小厚度為所述第一極板的厚度的兩倍以上，其中，所述平坦化介電膜層的最大厚度為所述平坦化介電膜層的遠離所述第一極板的表面與所述基板的靠近所述第一極板的表面之間的最大距離。
4.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述平坦化介電膜層包括依次層疊的第一平坦化介電膜層和第二平坦化介電膜層。
5.根據權利要求4所述的電容結構，其特征在于，所述第一平坦化介電膜層為氮化硅膜層或氧化硅膜層，所述第二平坦化介電膜層為氮化硅膜層或氧化硅膜層。
6.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述第二極板的厚度大于等于所述第一極板的厚度。
7.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述第一極板為半導體溝道層，所述第二極板為柵極金屬層。
8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-7中任一項所述的電容結構。
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