[實用新型]半導體元件

有效

• 申請號: 201620778058.3
• 申請日: 2016-07-22
• 公開（公告）號: CN206210794U
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: B·帕德瑪納伯翰;P·文卡特拉曼;A·薩利赫;劉春利
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/082;H01L23/482
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 秦晨

1.一種半導體元件(10，30)，具有至少第一端子及第二端子，其特征在于包括：

第一半導體器件(12，32)，具有第一載流端子及第二載流端子，所述第一半導體器件(12，32)由硅基材料配置；

第二半導體器件(14)，具有控制端子(14G)和第一載流端子(14D)及第二載流端子(14S)，所述第二半導體器件(14)由III-N半導體材料配置，所述第一半導體器件(12，32)的所述第一載流端子與所述第二半導體器件(14)的第二載流端子(14S)耦接，并且所述第二半導體器件(14)的所述控制端子(14G)與所述第一半導體器件(12，32)的所述第二載流端子耦接；以及

第三半導體器件(16，36)，具有控制端子(16G，36G)和第一載流端子(16D，36D)及第二載流端子(16S，36S)，所述第三半導體器件(16，36)的所述第一載流端子(16D，36D)與所述第三半導體器件(16，36)的所述控制端子(16G，36G)、所述第一半導體器件(12，32)的所述第一載流端子以及所述第二半導體器件(14)的所述第二載流端子(14S)耦接。

2.根據權利要求1所述的半導體元件(10，30)，其特征在于所述第一半導體器件(12，32)是第一晶體管，所述第二半導體器件(14)是第二晶體管，所述第三半導體器件(16)是第三晶體管，并且所述硅基半導體材料是第一導電類型的硅。

3.根據權利要求2所述的半導體元件(10，30)，其特征在于所述第一半導體器件(12，32)、所述第二半導體器件和所述第三半導體器件是單片集成的。

4.根據權利要求1所述的半導體元件(10，30)，其特征在于所述第二半導體器件(14)的所述控制端子(14G)與所述第三半導體器件(16)的所述第二載流端子(16S)耦接。

5.根據權利要求1所述的半導體元件(10，30)，其特征在于所述第一半導體器件(12，32)是具有陰極和陽極的二極管，所述陰極用作所述第一載流端子并且所述陽極用作所述第二載流端子。

6.根據權利要求1所述的半導體元件(10，30)，其特征在于所述第三半導體器件(16)具有比所述第二半導體器件(14)的絕對閾值電壓值大的閾值電壓。

7.一種半導體元件(10，30)，其特征在于包括：

硅基半導體器件(12，32)，由硅半導體材料形成，且具有第一載流端子及第二載流端子；

III-N基半導體器件(14)，由III-N半導體材料形成，且具有控制端子(14G)、第一載流端子(14S)和第二載流端子(14D)，所述硅基半導體器件(12，32)的所述第一載流端子與所述III-N基半導體器件(14)的所述控制端子耦接，所述硅基半導體器件(12，32)的所述第二載流端子與所述III-N半導體器件(14)的所述第一載流端子(14S)耦接；以及

第一晶體管(16，36)，具有控制端子(16G，36G)和第一載流端子(16D，36D)及第二載流端子(16S，36S)，所述第一晶體管(16，36)的所述控制端子(16G，36G)與所述硅基半導體器件(12，32)的所述第二載流端子耦接。

8.根據權利要求7所述的半導體元件(10，30)，其特征在于所述硅基半導體器件(12，32)包括具有陽極和陰極的二極管，并且所述III-N基半導體器件(14)包括具有柵極、源極和漏極的第一場效應晶體管，并且其中所述二極管的所述陽極用作所述硅基半導體器件(12，32)的所述第一載流端子，所述二極管的所述陰極用作所述硅基半導體器件(12，32)的所述第二載流端子，所述第一場效應晶體管的所述源極用作所述III-N基半導體器件(14)的所述第一載流端子，并且所述第一場效應晶體管的所述漏極用作所述III-N基半導體器件(14)的所述第二載流電極。