[實(shí)用新型]一種蒸發(fā)源系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201620536416.X | 申請(qǐng)日: | 2016-06-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207405228U | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡海兵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/28 | 分類號(hào): | C23C14/28 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 017000 內(nèi)蒙古*** | 國(guó)省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 噴嘴 蒸發(fā)源 激光加熱裝置 蒸鍍 基板 膜層 預(yù)設(shè) 坩堝 本實(shí)用新型 加熱均勻性 蒸發(fā)源設(shè)備 不均勻性 厚度不均 加熱處理 噴嘴堵塞 溫度提升 有機(jī)材料 不均勻 均勻性 粘連 凝固 保證 | ||
本實(shí)用新型涉及蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種蒸發(fā)源系統(tǒng),用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的由于坩堝溫度不均勻而導(dǎo)致蒸鍍到基板上的膜層厚度不均勻的問題。該蒸發(fā)源系統(tǒng)基于現(xiàn)有的蒸發(fā)源設(shè)備,增加激光加熱裝置,該激光加熱裝置針對(duì)溫度低于預(yù)設(shè)閾值的噴嘴進(jìn)行加熱處理,使得該噴嘴的溫度提升至不易凝固的溫度,即至少達(dá)到預(yù)設(shè)閾值。這樣,即使蒸發(fā)源本體對(duì)各個(gè)坩堝的加熱均勻性不好,也可以通過激光加熱裝置改善這一不均勻性對(duì)各個(gè)噴嘴的影響,使得各個(gè)噴嘴的溫度接近一致,避免由于溫度不足而容易使有機(jī)材料粘連在噴嘴內(nèi)徑而導(dǎo)致噴嘴堵塞的問題,進(jìn)而,保證蒸鍍到基板上的膜層厚度的均勻性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種蒸發(fā)源系統(tǒng)。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的顯示面板的制備過程中,需要利用蒸鍍工藝沉積相應(yīng)膜層,例如,有機(jī)電致發(fā)光(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示面板中的有機(jī)發(fā)光膜層等的制備。其中,蒸鍍工藝必不可少的設(shè)備為蒸發(fā)源設(shè)備,如圖1所示,為現(xiàn)有的蒸發(fā)源設(shè)備中任一坩堝的截面示意圖,主要包括:蒸發(fā)源本體11,嵌設(shè)在蒸發(fā)源本體11內(nèi)的坩堝12,(其實(shí),每個(gè)蒸發(fā)源設(shè)備可以包含多個(gè)坩堝,本實(shí)施例僅以一個(gè)坩堝為例進(jìn)行說明)坩堝12可設(shè)置為矩形腔室,每個(gè)腔室的上方設(shè)置有多個(gè)用于噴射出經(jīng)加熱而蒸發(fā)的待成膜材料的噴嘴13。在實(shí)際的蒸鍍時(shí),該蒸發(fā)源設(shè)備的蒸發(fā)源本體11對(duì)坩堝12加熱,坩堝12中的有機(jī)材料分子在受熱后經(jīng)過噴嘴13被蒸鍍到基板上。
然而,由于上述蒸發(fā)源設(shè)備中坩堝加熱的溫度均勻性不好,若坩堝溫度不足則容易使有機(jī)材料粘連在噴嘴內(nèi)徑從而導(dǎo)致噴嘴堵塞,尤其針對(duì)所屬同一坩堝的噴嘴而言,若發(fā)生堵塞則容易致使坩堝內(nèi)部壓強(qiáng)變化,有可能影響其他噴嘴的蒸鍍情況,最終,導(dǎo)致蒸鍍到基板上的膜層厚度不均勻。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種蒸發(fā)源系統(tǒng),用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的由于坩堝溫度不均勻而導(dǎo)致蒸鍍到基板上的膜層厚度不均勻的問題。
本實(shí)用新型實(shí)施例采用以下技術(shù)方案:
一種蒸發(fā)源系統(tǒng),包括:蒸發(fā)源本體,嵌設(shè)在所述蒸發(fā)源本體上的至少一個(gè)坩堝,所述坩堝上方設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)用于噴射出經(jīng)加熱而蒸發(fā)的待成膜材料的噴嘴,還包括:至少一個(gè)激光加熱裝置;
其中,所述激光加熱裝置用于在任意一個(gè)或多個(gè)噴嘴的溫度低于預(yù)設(shè)閾值時(shí),對(duì)所述一個(gè)或多個(gè)噴嘴進(jìn)行加熱處理,以使得所述一個(gè)或多個(gè)噴嘴的溫度至少達(dá)到預(yù)設(shè)閾值,所述預(yù)設(shè)閾值為所述待成膜材料的熔融溫度值。
可選地,所述蒸發(fā)源系統(tǒng)還包括:與每個(gè)噴嘴對(duì)應(yīng)設(shè)置的溫度傳感器;
其中,所述溫度傳感器用于對(duì)相應(yīng)的噴嘴的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控,并在溫度低于預(yù)設(shè)閾值時(shí),向所述激光加熱裝置發(fā)送加熱信號(hào);
所述激光加熱裝置具體用于在接收到所述加熱信號(hào)時(shí),對(duì)發(fā)送該加熱信號(hào)的溫度傳感器對(duì)應(yīng)的噴嘴進(jìn)行加熱處理,以使得所述噴嘴達(dá)到不易堵塞的溫度。
該技術(shù)方案可實(shí)時(shí)對(duì)噴嘴進(jìn)行監(jiān)控,以通知激光加熱裝置對(duì)相應(yīng)噴嘴進(jìn)行加熱處理。
可選地,所述溫度傳感器還用于在所述激光加熱裝置對(duì)相應(yīng)噴嘴進(jìn)行加熱一段時(shí)間后且該噴嘴的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)閾值時(shí),向所述激光加熱裝置發(fā)送停止加熱信號(hào);
所述激光加熱裝置還用于在接收到所述停止加熱信號(hào)時(shí),停止對(duì)發(fā)送該停止加熱信號(hào)的溫度傳感器對(duì)應(yīng)的噴嘴進(jìn)行加熱處理。
該技術(shù)方案可根據(jù)溫度傳感器發(fā)送的停止加熱信號(hào),停止對(duì)噴嘴的加熱處理,從而,能夠準(zhǔn)確實(shí)現(xiàn)對(duì)噴嘴的加熱處理,提升加熱精準(zhǔn)度。
可選地,所述激光加熱裝置還用于在對(duì)相應(yīng)噴嘴加熱預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)之后,停止對(duì)所述噴嘴進(jìn)行加熱處理。
該技術(shù)方案根據(jù)經(jīng)驗(yàn)值設(shè)定預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng),使得加熱處理后的噴嘴的溫度更為接近蒸鍍所需的溫度。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





