[實用新型]一種半導體GPP整流芯片

有效

• 申請號: 201620101565.3
• 申請日: 2016-01-31
• 公開（公告）號: CN205319160U
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 于如遠;于強
• 申請（專利權）人: 濟南金銳電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L25/03
• 代理公司: 濟南鼎信專利商標代理事務所(普通合伙) 37245
• 代理人: 曹玉琳

技術領域

本實用新型主要涉及半導體芯片領域，具體是一種半導體GPP整流芯片。

背景技術

在半導體芯片制作的過程中，芯片的漏電流是不可避免的，目前所銷售的 GPP芯片多為方形，部分為六角形，芯片的漏電流會隨著芯片的溫度提高而增加 放大，隨著漏電流的增加放大會導致芯片的損壞失效或是嚴重的炸管，抗反向 浪涌電流能力差，可靠性能差。

另外，現有GPP芯片的晶片，普遍采用從凹槽底切割劃片的分裂方案，存 在以下兩方面的問題：一是切割刀片在凹槽內切割時易造成硅的隱裂，這種隱 裂在材料中逐漸擴展；二是由于切割點距離PN結很近，因此容易造成結的損傷， 從而容易導致芯片鈍化層隱裂而導致器件壽命降低或最終失效，所以減小半導 體芯片的漏電流對成品芯片的性能和可靠性有著很重要的作用。

實用新型內容

為解決現有技術中的不足，本實用新型提供一種半導體GPP整流芯片，芯 片的第二臺面為圓形周邊開槽圓潤漏電小，避免了現有的正方形和正六邊形的 GPP整流芯片由于邊角處電流集中而發生芯片邊角處被提前擊穿而失效的情況， 提高了GPP整流芯片的抗反向電流的能力，同時設置切割保護區，避免了現有 技術中在切割凹槽底部的過程中對芯片的PN結造成的應力損傷。

本實用新型為實現上述目的，通過以下技術方案實現：

一種半導體GPP整流芯片，包括整流基材，所述整流基材包括第一臺面和 第二臺面，所述第一臺面圍繞第二臺面，所述第二臺面的高度與第一臺面的高 度相同，所述第二臺面為圓形，所述第一臺面為方形，且自第二臺面所在的平 面至整流基材的底面的部分為方形，所述第二臺面與第一臺面之間設置切割保 護區，所述第二臺面的邊沿設置環形凹槽，所述環形凹槽內從上向下依次設置 緩沖層、鈍化層、第一保護層，所述第一保護層由環形凹槽的底部向上延伸至 第二臺面的頂端，所述緩沖層、鈍化層由第一臺面的頂端沿環形凹槽的側壁延 伸至第二臺面的頂端。

所述鈍化層、第一保護層的底部以及鈍化層、第一保護層靠近第二臺面的 一側均為弧形。

所述第二臺面和整流基材的底面均覆蓋第二保護層。

所述第二保護層包括由內到外依次覆蓋的合金層、鍍鎳層和金屬層。

所述第一保護層包括含氧多晶硅層和氮化硅層，所述氮化硅層位于含氧多 晶硅層和鈍化層之間。

所述緩沖層的頂端與第一臺面、第二臺面的連接處高于第二臺面形成凸起。

對比與現有技術，本實用新型有益效果在于：

1、本實用新型第一臺面為方形在制備整流基材時，便于將整個晶片進行切 割，第二臺面為圓形，避免了現有的正方形和正六邊形的GPP整流芯片由于邊 角處電流集中而發生芯片邊角處被提前擊穿而失效的情況，提高了GPP整流芯 片的抗反向電流的能力，第一臺面和第二臺面之間設置切割保護區，避免了現 有技術中在切割凹槽底部的過程中對芯片PN結造成的應力損傷，環形凹槽內設 置緩沖層、鈍化層、第一保護層，能夠對PN結起到的鈍化、保護作用，使得芯 片品質有很好地保證。

2、本實用新型鈍化層、第一保護層的底側和靠近第二臺面的一側均為弧形， 能夠增加鈍化層、第一保護層的表面積，增加對PN結的鈍化、保護作用。

3、本實用新型第二臺面和整流基材的底面均覆蓋第二保護層，增加GPP 整流芯片的可焊性和電流的通過能力，對第二臺面和整流基材進行有效的保護。

4、本實用新型第二保護層包括由內到外依次覆蓋的合金層、鍍鎳層和金屬 層，合金層增加抗拉力，鍍鎳層增加導電性和外層金屬的可鍍性，金屬層增加 可焊性和提高通過電流的能力。

5、本實用新型第一保護層包括含氧多晶硅層和氮化硅層，所述氮化硅位于 含氧多晶硅層和鈍化層之間，多晶硅層和氮化硅層相互配合保護PN結，進一步 提高芯片抗反向電壓沖擊能力。

6、本實用新型緩沖層的頂端的與第一臺面、第二臺面的連接處高于第二臺 面形成凸起，增加緩沖層與第一臺面、第二臺面的連接穩固性，防止緩沖層從 環形凹槽內脫落。

附圖說明

附圖1是本實用新型的結構示意圖；

附圖2是本實用新型的剖視圖；

附圖3是本實用新型晶片的結構示意圖；

附圖4是附圖2的I處放大圖。