[實用新型]一種半導(dǎo)體GPP整流芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201620101565.3
• 申請日: 2016-01-31
• 公開（公告）號: CN205319160U
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 于如遠;于強
• 申請（專利權(quán)）人: 濟南金銳電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L25/03
• 代理公司: 濟南鼎信專利商標(biāo)代理事務(wù)所(普通合伙) 37245
• 代理人: 曹玉琳

1.一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，包括整流基材(1)，所述整流基材(1)包括第 一臺面(2)和第二臺面(3)，所述第一臺面(2)圍繞第二臺面(3)，其特 征在于：所述第二臺面(3)的高度與第一臺面(2)的高度相同，所述第 二臺面(3)為圓形，所述第一臺面(2)為方形，且自第二臺面(3)所在 的平面至整流基材(1)的底面的部分為方形，所述第二臺面(3)與第一臺 面(2)之間設(shè)置切割保護區(qū)(4)，所述第二臺面(3)的邊沿設(shè)置環(huán)形凹槽 (5)，所述環(huán)形凹槽(5)內(nèi)從上向下依次設(shè)置緩沖層(51)、鈍化層(52)、 第一保護層，所述第一保護層由環(huán)形凹槽(5)的底部向上延伸至第二臺面 (3)的頂端，所述緩沖層(51)、鈍化層(52)由第一臺面(2)的頂端沿 環(huán)形凹槽(5)的側(cè)壁延伸至第二臺面(3)的頂端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，其特征在于：所述鈍化層 (52)、第一保護層的底部以及鈍化層(52)、第一保護層靠近第二臺面(3) 的一側(cè)均為弧形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，其特征在于：所述第二臺 面(3)和整流基材(1)的底面均覆蓋第二保護層(6)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，其特征在于：所述第二保 護層(6)包括由內(nèi)到外依次覆蓋的合金層(61)、鍍鎳層(62)和金屬層(63)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，其特征在于：所述第一保 護層包括含氧多晶硅層(53)和氮化硅層(54)，所述氮化硅層(54)位于 含氧多晶硅層(53)和鈍化層(52)之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，其特征在于：所述緩沖層 (51)的頂端與第一臺面(2)、第二臺面(3)的連接處高于第二臺面(3) 形成凸起。