[實用新型]一種防止鍵合機臺滑片的裝置有效
| 申請號: | 201620085573.3 | 申請日: | 2016-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN205319131U | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發明(設計)人: | 馮晨 | 申請(專利權)人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人: | 陳衛 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 防止 機臺 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體制造領域,具體涉及一種防止鍵合機臺滑片的裝置。
背景技術
在半導體制造技術中,為了增加設備數量,鍵合技術能將兩片硅片粘合到一起,能有效增加單位面積內的設備數量,已被廣泛應用。在兩片硅片進行鍵合工藝時,最后距離50微米時機臺探頭會離開硅片,這時主要是靠硅片自身重力和分之間結合力去將兩片硅片結合起來,這個過程中就會出現硅片滑片,只有部分黏在一起,滑片的硅片必須分開,這個動作會造成硅片刮傷,有可能直接報廢。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種防止鍵合機臺滑片的裝置。
本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下:
一種防止鍵合機臺滑片的裝置,包括鍵合機臺上進行鍵合的硅片和鍵合臺面,所述硅片和鍵合臺面上下水平疊置,還包括至少三個設置在鍵合臺面周圍的梯形裝置,所述梯形裝置呈梯形塊狀,包括短側面、長側面和斜面,所述短側面和鍵合臺面貼合,且短側面高度和鍵合臺面厚度相同,所述長側面相對短側面設置且其高度大于所述短側面的高度,所述斜面從所述長側面的頂端向著硅片延伸到所述短側面的頂端。
本實用新型的有益效果是:本實用新型可有效防止硅片鍵合時滑片,減少報廢,節約成本。
在上述技術方案的基礎上,本實用新型還可以做如下改進。
進一步的,所述梯形裝置均勻的分布在鍵合臺面周圍。
進一步的,所述長側面的高度大于所述硅片的厚度。
進一步的,所述斜面相對于水平的傾角α范圍為45°-80°。
進一步的,所述斜面相對于水平的傾角α的值為75°。
進一步的,所述長側面高度超過鍵合臺面厚度的值L范圍為2mm-4mm。
進一步的,所述長側面高度超過鍵合臺面厚度的值L的值為3mm。
采用上述進一步方案的有益效果是:本實用新型體積小,既能節省空間,又能達到有效的防滑片效果。
附圖說明
圖1為本實用新型裝置使用時總體側視圖;
圖2為本實用新型裝置使用時總體俯視圖;
圖3為本實用單個新型梯形裝置俯視圖。
附圖中,各標號所代表的部件列表如下:
1、硅片;2、鍵合臺面;3、梯形裝置;4、梯形裝置短側面;5、梯形裝置長側面;6、梯形裝置斜面。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述,所舉實例只用于解釋本實用新型,并非用于限定本實用新型的范圍。
如圖2所示,一種防止鍵合機臺滑片的裝置,包括鍵合機臺上進行鍵合的兩片硅片1和鍵合臺面2,所述硅片1和鍵合臺面2上下水平疊置,還包括至少三個設置在鍵合臺面2周圍的梯形裝置3。
如圖1、圖3所示,所述梯形裝置3呈梯形塊狀,包括短側面4、長側面5和斜面6,所述短側面4和鍵合臺面2貼合,且短側面4高度和鍵合臺面2厚度相同,所述長側面5相對短側面4設置且其高度大于所述短側面4的高度,所述斜面6從所述長側面5的頂端向著硅片1延伸到所述短側面4的頂端。
所述梯形裝置3均勻的分布在鍵合臺面2周圍。
所述長側面5的高度大于所述硅片1的厚度。
所述斜面6相對于水平的傾角α范圍為45°-80°。
所述斜面6相對于水平的傾角α的值為75°。
所述長側面5高度超過鍵合臺面2厚度的值L范圍為2mm-4mm。
所述長側面5高度超過鍵合臺面2厚度的值L的值為3mm。
鍵合時,在兩片硅片對準之后,自由落體結合時,在鍵合臺面四周增加梯形裝置,防止硅片滑片。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例,并不用以限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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