[實用新型]一種用于多晶硅制絨的系統有效
| 申請號: | 201620059854.1 | 申請日: | 2016-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN205376544U | 公開(公告)日: | 2016-07-06 |
| 發明(設計)人: | 廖文豐 | 申請(專利權)人: | 浙江泰豐太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京世譽鑫誠專利代理事務所(普通合伙) 11368 | 代理人: | 仲伯煊 |
| 地址: | 325000 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 多晶 硅制絨 系統 | ||
技術領域
本實用新型屬于多晶硅太陽能技術領域,具體涉及一種用于多晶硅制絨的系統。
背景技術
太陽能電池是一種利用光生伏打效應把光能轉換成電能的器件,在光電轉換過程中,損耗主要為:光損耗和電損耗。而對于晶硅太陽電池,光損耗主要來自前表面的反射損失和后表面的長波反射損耗,電損耗主要來自光子激發的電子、空穴對復合及電阻功率損耗。
目前,常規多晶硅太陽電池片的制作工藝采用相同的流程。盡管單、多晶太陽電池片制作工藝流程及大部分設備相同,然而,在光電轉換效率方面,一般單晶太陽電池片的光電轉換效率比多晶太陽電池高1.5%的絕對效率,主要原因是:1、多晶硅片存在較多的晶界,在內部及表面處,其電子空穴對符合速率遠大于單晶;2、兩者絨面的反射率存在較大差異,一般制絨后,在太陽全光譜下,單晶的反射率為11%,多晶的發射率高達24%。因此,在多晶硅太陽電池片制作技術中,如何降低多晶表面反射率顯得尤為重要,同時,由于多晶硅的晶向排列無規則,單晶制絨的各向異性腐蝕原理不再適合。
實用新型內容
實用新型目的:本實用新型針對上述現有技術存在的問題做出改進,即本實用新型公開了一種用于多晶硅制絨的系統。
技術方案:一種用于多晶硅制絨的系統,包括第一漂洗槽、烘箱、拋光機、第二漂洗槽、氮氣吹干槽、酸制絨槽、第三漂洗槽、堿洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽、壓縮空氣吹干槽和用于傳輸多晶硅片的滾輪,
所述第一漂洗槽、所述烘箱、所述拋光機、所述第二漂洗槽、所述氮氣吹干槽、所述酸制絨槽、所述第三漂洗槽、所述堿洗槽、所述第四漂洗槽、所述酸洗槽、所述第五漂洗槽和所述壓縮空氣吹干槽依次相連。
進一步地,所述酸制絨槽中設有噴涂機,所述噴涂機外接一可編程邏輯控制器。
進一步地,所述第一漂洗槽、所述第二漂洗槽、所述第三漂洗槽、所述第四漂洗槽、所述第五漂洗槽均為去離子水漂洗槽。
有益效果:本實用新型公開的一種用于多晶硅制絨的系統具有以下有益效果:
1、結構簡單;
2、多晶硅制絨效果好。
附圖說明
圖1為本實用新型公開的一種用于多晶硅制絨的系統的結構示意圖。
具體實施方式:
下面對本實用新型的具體實施方式詳細說明。
如圖1所示,一種用于多晶硅制絨的系統,包括第一漂洗槽、烘箱、拋光機、第二漂洗槽、氮氣吹干槽、酸制絨槽、第三漂洗槽、堿洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽、壓縮空氣吹干槽和用于傳輸多晶硅片的滾輪,
第一漂洗槽、烘箱、拋光機、第二漂洗槽、氮氣吹干槽、酸制絨槽、第三漂洗槽、堿洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽和壓縮空氣吹干槽依次相連。
進一步地,酸制絨槽中設有噴涂機,噴涂機外接一可編程邏輯控制器。
進一步地,第一漂洗槽、第二漂洗槽、第三漂洗槽、第四漂洗槽、第五漂洗槽均為去離子水漂洗槽。
上面對本實用新型的實施方式做了詳細說明。但是本實用新型并不限于上述實施方式,在所屬技術領域普通技術人員所具備的知識范圍內,還可以在不脫離本實用新型宗旨的前提下做出各種變化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





