[實用新型]一種高低溫下分布集中的帶隙基準電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201620040789.8
• 申請日: 2016-01-15
• 公開（公告）號: CN205375261U
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發(fā)明（設計）人: 賈雪絨
• 申請（專利權）人: 西安紫光國芯半導體有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 陸萬壽

1.一種高低溫下分布集中的帶隙基準電路，其特征在于，包括帶隙基準電路、溫度檢測器和選通邏輯模塊；

所述帶隙基準電路用于輸出帶隙基準電壓vBGR；

所述溫度檢測器用于檢測帶隙基準電路所處環(huán)境的溫度，并在所測溫度值大于或等于閾值時輸出第一信號給選通邏輯模塊，在所測溫度值小于閾值時輸出第二信號給選通邏輯模塊；

所述選通邏輯模塊用于：在接收到第一信號時，將第一調整碼送至帶隙基準電路；在接收到第二信號時，將第二調整碼送至帶隙基準電路。

2.根據權利要求1所述的一種高低溫下分布集中的帶隙基準電路，其特征在于，所述帶隙基準電路包括運算放大器controls、二極管D1、二極管D2、二極管D3、電阻R2、電阻R3、PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3；

PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3的漏極均接電源；PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3的柵極共接且連接運算放大器controls的輸出端；PMOS管PMOS1的源極連接二極管D1的正極，二極管D1的負極接地；PMOS管PMOS2的源極串接電阻R2后連接二極管D2的正極，二極管D2的負極接地；PMOS管PMOS3的源極串接電阻R3后連接二極管D3的正極，二極管D3的負極接地；

運算放大器controls的正向輸入端連接PMOS管PMOS1的源極，運算放大器controls的反向輸入端連接PMOS管PMOS2的源極；PMOS管PMOS3的源極輸出帶隙基準電壓vBGR。

3.根據權利要求2所述的一種高低溫下分布集中的帶隙基準電路，其特征在于，選通邏輯模塊在接收到第一信號時，將第一調整碼送至帶隙基準電路的電阻R3；在接收到第二信號時，將第二調整碼送至帶隙基準電路的電阻R3。

4.根據權利要求3所述的一種高低溫下分布集中的帶隙基準電路，其特征在于，第一調整碼和第二調整碼均用于調整電阻R3的值，控制帶隙基準電壓vBGR接近目標值。

5.根據權利要求1所述的一種高低溫下分布集中的帶隙基準電路，其特征在于，所述閾值為50℃。

6.根據權利要求1所述的一種高低溫下分布集中的帶隙基準電路，其特征在于，第一調整碼為90℃時的調整碼；第二調整碼為-10℃時的調整碼。

7.根據權利要求1所述的一種高低溫下分布集中的帶隙基準電路，其特征在于，第一調整碼和第二調整碼均通過激光熔絲輸出給帶隙基準電路。