[實用新型]QFN框架后貼膜治具有效
| 申請號： | 201620030846.4 | 申請日： | 2016-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN205319129U | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發明（設計）人： | 陳亮亮;陶翔宇;周峰 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤安盛科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人： | 龐聰雅 |
| 地址： | 214028 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | qfn 框架 后貼膜治具 | ||
【權利要求書】：
1.一種QFN框架后貼膜治具，用于壓住QFN框架(30)，其特征是：所 述治具(10)包括具有頂面和底面的平板狀的治具體(11)，所述治具體(11) 的底面設置有并列的至少兩個空腔(12)，每個所述空腔(12)的邊框與所述 QFN框架(30)的周邊相對應并且形狀與大小相互匹配。
2.按照權利要求1所述的QFN框架后貼膜治具，其特征是：所述并列的 空腔(12)的邊框由兩個平行的第二側壁(14)以及至少三個與所述第二側壁 (14)垂直的且相互平行的第一側壁(13)構成。
3.按照權利要求1所述的QFN框架后貼膜治具，其特征是：每個所述空 腔(12)內布置有通向所述治具體(11)頂面的氣孔(15)。
4.按照權利要求1所述的QFN框架后貼膜治具，其特征是：所述治具體 (11)上設置有至少兩個貫穿其頂面與底面的定位孔(16)。
5.按照權利要求1所述的QFN框架后貼膜治具，其特征是：所述治具體 (11)以及所述空腔(12)均為長方體形狀。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫華潤安盛科技有限公司，未經無錫華潤安盛科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201620030846.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：能降低浮動現象的半導體承盤
- 下一篇：一種用于太陽能電池片刻蝕的噴淋裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
