[實用新型]低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔互連結構

有效

• 申請號: 201620021466.4
• 申請日: 2016-01-11
• 公開（公告）號: CN205335241U
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 于大全;鄒益朝;肖智軼
• 申請（專利權）人: 華天科技（昆山）電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 昆山四方專利事務所 32212
• 代理人: 盛建德;段新穎

1.一種低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔互連結構，其特征在 于：包括至少一正面帶有焊墊(101)的芯片(1)，所述芯片 背面形成有對應所述焊墊的通孔(3)，所述通孔的底部開口暴 露所述焊墊；所述芯片背面及所述通孔的側壁上覆蓋有絕緣層 (4)，靠近所述通孔的頂部開口的絕緣層上及所述芯片背面鋪 設有至少一層金屬線路層(5)；所述芯片背面上的金屬線路層 上形成有鈍化層(6)，所述鈍化層上開設有預植焊球的開口 (7)，所述通孔的底部開口暴露的焊墊表面上、所述通孔的頂 部開口處的金屬線路層上及所述開口內的金屬線路層上采用 化鍍的方法形成有一定厚度的金屬層(8)；所述通孔內采用非 電鍍的方法填充滿了導電材料(9)，所述開口內的金屬層上植 有焊球(10)。

2.根據權利要求1所述的低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔 互連結構，其特征在于：所述焊墊的材質是鋁、鋁合金、銅和 銅合金中的一種。

3.根據權利要求1所述的低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔 互連結構，其特征在于：所述焊墊正面部分或全部被無機介質 層或有機介質層覆蓋，所述焊墊背面邊緣被無機介質層或有機 介質層覆蓋。

4.根據權利要求1所述的低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔 互連結構，其特征在于：所述絕緣層的材質為二氧化硅、氮化 硅、聚合物絕緣材料中的一種。

5.根據權利要求1所述的低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔 互連結構，其特征在于：所述通孔為直孔或斜孔或直孔與斜孔 的組合。

6.根據權利要求1所述的低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔 互連結構，其特征在于：所述金屬層為一層金屬或多層金屬， 每層金屬的材質為鎳、鎳磷、銀、銅、鈷、金、鈀中的一種。

7.根據權利要求1所述的低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔 互連結構，其特征在于：所述導電材料為導電膠或金屬焊料。

8.根據權利要求1所述的低成本晶圓級芯片尺寸硅通孔 互連結構，其特征在于：所述焊球與所述金屬線路層之間以及 所述導電材料與所述金屬線路層形成有焊接擴散阻擋層和潤 濕金屬層。