[發(fā)明專利]太陽能電池及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611272896.4 | 申請日: | 2016-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN106910781B | 公開(公告)日: | 2020-08-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李景洙;樸相昱;李真熒 | 申請(專利權(quán))人: | LG電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/072;H01L31/074;H01L31/0747;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
太陽能電池及其制造方法。本文公開了一種太陽能電池及其制造方法。太陽能電池模塊包括:半導(dǎo)體基板;第一鈍化膜,其位于半導(dǎo)體基板的前表面上;第二鈍化膜,其位于半導(dǎo)體基板的后表面上;前電場區(qū),其位于半導(dǎo)體基板的前表面上的第一鈍化膜上并且導(dǎo)電類型與半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電類型相同;發(fā)射極區(qū),其位于半導(dǎo)體基板的后表面上的第二鈍化膜上并且導(dǎo)電類型與半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電類型相反;第一電極,其導(dǎo)電地連接至前電場區(qū);以及第二電極,其導(dǎo)電地連接至發(fā)射極區(qū)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能電池及其制造方法,更具體地講,涉及一種具有改進的結(jié)構(gòu)的太陽能電池及其制造方法。
背景技術(shù)
近來,隨著預(yù)期諸如石油和煤的傳統(tǒng)能源耗盡,對取代這些能源的替代能源的關(guān)注增加。其中,作為將太陽能轉(zhuǎn)換為電能的下一代電池,太陽能電池受到關(guān)注。
這種太陽能電池可通過根據(jù)設(shè)計形成各種層和電極來制造。太陽能電池的效率可由各種層和電極的設(shè)計來確定。為了使太陽能電池商業(yè)化,應(yīng)該克服太陽能電池的低效率,因此,需要通過各種層和電極來使太陽能電池的效率最大化的設(shè)計。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的在于提供一種具有高效率的太陽能電池及其制造方法。
本發(fā)明的目的不限于上述目的,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言上面沒有提及的其它目的將從以下描述變得明顯。
為了實現(xiàn)上述目的,根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式提供了一種太陽能電池,該太陽能電池包括:半導(dǎo)體基板;第一鈍化膜,其位于半導(dǎo)體基板的前表面上;第二鈍化膜,其位于半導(dǎo)體基板的后表面上;前電場區(qū),其位于半導(dǎo)體基板的前表面上的第一鈍化膜上并且導(dǎo)電類型與半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電類型相同;發(fā)射極區(qū),其位于半導(dǎo)體基板的后表面上的第二鈍化膜上并且導(dǎo)電類型與半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電類型相反;第一電極,其導(dǎo)電地連接至前電場區(qū);以及第二電極,其導(dǎo)電地連接至發(fā)射極區(qū)。
為了實現(xiàn)上述目的,根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式提供了一種制造太陽能電池的方法,該方法包括以下步驟:在半導(dǎo)體基板的前表面和后表面上形成第一鈍化膜和第二鈍化膜;形成前電場區(qū)和發(fā)射極區(qū),所述前電場區(qū)位于半導(dǎo)體基板的前表面上的第一鈍化膜上并且導(dǎo)電類型與半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電類型相同,所述發(fā)射極區(qū)位于半導(dǎo)體基板的后表面上的第二鈍化膜上并且導(dǎo)電類型與半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電類型相反;形成位于前電場區(qū)上的第一透明電極層以及位于發(fā)射極區(qū)上的第二透明電極層;以及形成位于第一透明電極層上的第一金屬電極層以及位于第二透明電極層上的第二金屬電極層。
附圖說明
從下面結(jié)合附圖進行的詳細(xì)描述,本發(fā)明的以上和其它目的、特征和其它優(yōu)點將更清楚地理解,附圖中:
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的太陽能電池的橫截面圖;
圖2是圖1所示的太陽能電池的第一金屬電極層和第二金屬電極層的平面圖;
圖3A至圖3E是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的太陽能電池的制造方法的橫截面圖;
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的太陽能電池的橫截面圖;
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的太陽能電池的橫截面圖;以及
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的太陽能電池的橫截面圖。
具體實施方式
以下,將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實施方式。盡管將結(jié)合示例性實施方式來描述本發(fā)明,將理解,本說明書并不旨在將本發(fā)明限于所述示例性實施方式。
在附圖中,為了清楚地和簡明地描述本發(fā)明,與描述無關(guān)的部分將被省略,并且貫穿附圖將使用相同的標(biāo)號來指代相同或相似的部分。另外,為了更清楚地描述本發(fā)明,元件的厚度、面積等可被放大或縮小,因此,元件的厚度、面積等不限于附圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于LG電子株式會社,未經(jīng)LG電子株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611272896.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





