[發(fā)明專利]太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611272896.4
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN106910781B
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設計）人: 李景洙;樸相昱;李真熒
• 申請（專利權(quán)）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/072;H01L31/074;H01L31/0747;H01L31/18
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種太陽能電池，該太陽能電池包括：

半導體基板；

第一鈍化層，該第一鈍化層位于所述半導體基板的前表面上；

第二鈍化層，該第二鈍化層位于所述半導體基板的后表面上；

前電場區(qū)，該前電場區(qū)位于所述半導體基板的所述前表面上的所述第一鈍化層上并且導電類型與所述半導體基板的導電類型相同；

發(fā)射極區(qū)，該發(fā)射極區(qū)位于所述半導體基板的所述后表面上的所述第二鈍化層上并且導電類型與所述半導體基板的導電類型相反；

第一電極，所述第一電極導電地連接至所述前電場區(qū)；以及

第二電極，所述第二電極導電地連接至所述發(fā)射極區(qū)，

其中，所述前電場區(qū)和所述發(fā)射極區(qū)包括摻雜非晶硅、非晶硅氧化物、非晶硅碳化物、銦鎵鋅氧化物、鈦氧化物和鉬氧化物中的至少一種，

其中，所述前電場區(qū)的厚度為1nm至10nm，并且所述發(fā)射極區(qū)的厚度為3nm至15nm以大于所述前電場區(qū)的厚度，

其中，所述前電場區(qū)的厚度與所述發(fā)射極區(qū)的厚度之比為1:1.5至1:5.5，

其中，所述第一鈍化層的厚度與所述第二鈍化層的厚度之比為1:1至1:2.5，

其中，所述第一鈍化層的厚度與所述前電場區(qū)的厚度之比為1:1至1:2，

其中，所述第二鈍化層的厚度與所述發(fā)射極區(qū)的厚度之比為1:2至1:5，并且

其中，所述發(fā)射極區(qū)的厚度與所述第二鈍化層的厚度之比大于所述前電場區(qū)的厚度與所述第一鈍化層的厚度之比。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，

所述前電場區(qū)的能帶隙大于所述半導體基板的能帶隙；并且

所述發(fā)射極區(qū)的能帶隙大于所述半導體基板的能帶隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層中的至少一個包括本征非晶硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，所述發(fā)射極區(qū)和所述前電場區(qū)中的至少一個包括第一部分以及摻雜濃度高于所述第一部分的摻雜濃度的第二部分，

其中，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，

所述前電場區(qū)包括位于所述第一鈍化層上的第一電場部分以及位于所述第一電場部分上并且摻雜濃度高于所述第一電場部分的摻雜濃度的第二電場部分；

所述發(fā)射極區(qū)包括位于所述第二鈍化層上的第一發(fā)射極部分以及位于所述第一發(fā)射極部分上并且摻雜濃度高于所述第一發(fā)射極部分的摻雜濃度的第二發(fā)射極部分；并且

所述第二發(fā)射極部分的摻雜濃度與所述第一發(fā)射極部分的摻雜濃度之比等于或大于所述第二電場部分的摻雜濃度與所述第一電場部分的摻雜濃度之比，具有第二導電類型摻雜劑的所述第一發(fā)射極部分的摻雜濃度等于或小于具有第一導電類型摻雜劑的所述第一電場部分的摻雜濃度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，

所述第一電極和所述第二電極中的至少一個包括透明電極層以及位于所述透明電極層上的金屬電極層；并且

所述透明電極層包括銦錫氧化物ITO、鋁鋅氧化物AZO、硼鋅氧化物BZO、銦鎢氧化物IWO、銦銫氧化物ICO和銦鈦鉭氧化物中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中，所述透明電極層還包括氫。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，

所述第一電極包括形成在所述前電場區(qū)上的第一透明電極層以及位于所述第一透明電極層上的第一金屬電極層；

所述第二電極包括形成在所述發(fā)射極區(qū)上的第二透明電極層以及位于所述第二透明電極層上的第二金屬電極層；并且

所述第一透明電極層的厚度大于所述第二透明電極層的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，

所述半導體基板和所述前電場區(qū)為n型；并且

所述發(fā)射極區(qū)為p型。