[發明專利]氧化物TFT、其制造方法、使用其的顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201611270971.3
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN107564949B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 裵鐘旭;張容豪;裵俊賢;智光煥;尹弼相;盧智龍
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;譚天

1.一種氧化物薄膜晶體管(TFT)，包括：

設置在緩沖層上的半導體層，所述半導體層包含氧化物半導體材料并且包括有源區、與所述有源區的第一末端相鄰的第一導電部、以及與所述有源區的第二末端相鄰的第二導電部；

覆蓋所述半導體層和所述緩沖層的柵極絕緣層；

柵電極，所述柵電極設置在所述柵極絕緣層上并且與所述半導體層的一部分交疊；以及

覆蓋所述柵電極和所述柵極絕緣層的鈍化層，

其中所述有源區的電阻不同于所述第一導電部的電阻和所述第二導電部的電阻。

2.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其中所述有源區與所述柵電極對準。

3.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，還包括在所述緩沖層下方的遮光層，以及其中所述有源區與所述遮光層對準。

4.根據權利要求3所述的氧化物薄膜晶體管，其中所述緩沖層的覆蓋所述遮光層的末端的部分具有傾斜表面，以及其中所述柵極絕緣層覆蓋所述緩沖層的所述部分。

5.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其中所述第一導電部的電阻低于所述有源區的電阻，并且所述第二導電部的電阻低于所述有源區的電阻。

6.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其中：

所述第一導電部包括與包含在所述氧化物半導體材料中相同的金屬元素，以及所述第一導電部包括自由電子和氧空位，以及

所述第二導電部包括與所述第一導電部相同的金屬元素，以及所述第二導電部包括自由電子和氧空位。

7.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其中所述氧化物薄膜晶體管還包括：

接觸所述第一導電部的第一金屬層，以及所述第一金屬層接觸所述柵極絕緣層，其中所述第一金屬層包括與包含在所述氧化物半導體材料中的金屬相同的金屬，所述金屬鍵合至羥基(-OH)，以及

接觸所述第二導電部的第二金屬層，所述第二金屬層接觸所述柵極絕緣層，其中所述第二金屬層包括鍵合至羥基(-OH)的金屬。

8.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，還包括：

所述氧化物薄膜晶體管的第一電極，所述第一電極穿過所述柵極絕緣層中的第一接觸孔和所述鈍化層中的第二接觸孔接觸所述第一導電部，其中所述第一接觸孔和所述第二接觸孔對準；以及

所述氧化物薄膜晶體管的第二電極，所述第二電極穿過所述柵極絕緣層中的第三接觸孔和所述鈍化層中的第四接觸孔接觸第二導電部，其中所述第三接觸孔和所述第四接觸孔對準。

9.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其中所述第一導電部中的氧空位的數目大于所述有源區中的氧空位的數目，并且所述第二導電部中的氧空位的數目大于所述有源區中的氧空位的數目。

10.根據權利要求3所述的氧化物薄膜晶體管，其中遮光層的寬度小于所述半導體層的寬度。

11.根據權利要求1-10中任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其中所述氧化物薄膜晶體管為共平面型氧化物薄膜晶體管。

12.一種顯示面板，包括：

多條柵極線，所述多條柵極線接收多個柵極脈沖；

多條數據線，所述多條數據線接收多個數據電壓；以及

由所述多條柵極線和所述多條數據線限定的多個像素，

其中所述多個像素中的每一個包括氧化物薄膜晶體管(TFT)，所述氧化物薄膜晶體管(TFT)包括：

設置在緩沖層上的半導體層，所述半導體層包含氧化物半導體材料并且包括有源區、與所述有源區的第一末端相鄰的第一導電部、以及與所述有源區的第二末端相鄰的第二導電部；

覆蓋所述半導體層和所述緩沖層的柵極絕緣層；

柵電極，所述柵電極設置在所述柵極絕緣層上并且與所述半導體層的一部分交疊；以及

覆蓋所述柵電極和所述柵極絕緣層的鈍化層，

所述有源區的電阻不同于所述第一導電部的電阻和所述第二導電部的電阻。

13.根據權利要求12所述的顯示面板，其中所述有源區與所述柵電極對準。

14.根據權利要求12所述的顯示面板，還包括在所述緩沖層下方的遮光層，以及其中所述有源區與所述遮光層對準。