[發明專利]靶材組件的處理方法

在審

• 申請號: 201611270763.3
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108265274A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;相原俊夫;王學澤;劉霞
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

一種靶材組件的處理方法，包括：提供靶材組件，所述靶材組件包括背板和靶材，所述靶材位于所述背板上，所述靶材組件包括核心區和處理區，所述核心區與所述處理區鄰接，所述處理區包圍所述核心區，所述靶材位于所述核心區和部分所述處理區內；對所述處理區的部分靶材和部分背板進行噴砂處理，在所述部分靶材和部分背板的表面形成粗糙層；對所述粗糙層進行熔射處理，在所述粗糙層上形成膜層。所述方法處理后的靶材組件應用到磁控濺射較長時間時，即使靶材原子在所述膜層上形成堆積，所述靶材原子也不會脫落，成膜質量好，靶材利用率高，從而顯著延長靶材的使用壽命。

技術領域

本發明涉及磁控濺射技術，特別涉及磁控濺射靶材組件的處理方法。

背景技術

磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。磁控濺射的原理為：在真空狀態下，當磁控濺射靶材被施加一個負電位、被鍍膜的工件加正電位時，在磁控濺射靶材所在的真空室內形成電場，然后向真空室內充入工藝載氣(如Ar)，在一定壓力和溫度下，正電位與負電位之間會產生放電現象，電子沿環形軌道運動，撞擊工藝載氣(Ar)分子，產生等離子體放電。同時，磁控濺射靶材上的磁鐵產生磁場，磁場施加于電場之中，在電場和磁場作用下工藝載氣(Ar)產生的離子撞擊磁控濺射靶材表面，使得作為陰極的磁控濺射靶材的原子濺射出去，在被鍍膜的工件表面上就形成了一層薄膜。

然而，采用現有技術的方法在被鍍膜的工件上成膜質量不好，當所述成膜質量低于一定質量標準時，就需要更換靶材。而所述靶材未經充分利用就被更換掉，造成靶材的浪費，所述靶材使用壽命較短。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種靶材組件的處理方法，能夠提高被鍍膜的工件上的成膜質量和提高靶材的利用率，延長靶材的使用壽命。

為解決上述技術問題，本發明技術方案提供一種靶材組件的處理方法，包括：提供靶材組件，所述靶材組件包括背板和靶材，所述靶材位于所述背板上，所述靶材組件包括核心區和處理區，所述核心區與所述處理區鄰接，所述處理區包圍所述核心區，所述靶材位于所述核心區和部分所述處理區內；對所述處理區的部分靶材和部分背板進行噴砂處理，在所述部分靶材和部分背板的表面形成粗糙層；對所述粗糙層進行熔射處理，在所述粗糙層上形成膜層。

可選的，所述靶材包括：鈦靶材。

可選的，所述背板的材料包括：鋁合金。

可選的，所述噴砂處理步驟包括：提供噴砂槍；通過噴砂槍將砂粒沿處理區起始點噴射至處理區終止點，在所述處理區部分靶材和部分背板表面形成粗糙層；所述處理區起始點為所述處理區內的靶材側壁頂部，所述處理區終止點為所述處理區的外側邊緣。

可選的，所述處理區內的靶材側壁與處理區內的背板表面構成處理區拐角；所述處理區終止點距離所述處理區拐角的距離為0毫米～20毫米。

可選的，所述噴砂槍具有噴砂槍槍嘴；在所述噴砂過程中，噴砂槍槍嘴至所述處理區的距離范圍為150毫米～200毫米。

可選的，噴砂槍噴嘴所噴砂粒所作的直線運動方向和所述背板所在水平面的夾角范圍為40度～55度。

可選的，在所述噴砂處理過程中，噴砂槍內的壓強為：0.441兆帕～0.539兆帕。

可選的，所述砂粒型號為46號白剛玉。

可選的，所述熔射處理的步驟包括：提供熔射材料；對熔射材料進行熔化處理形成熔射液；所述熔射液在所述粗糙層表面凝固形成膜層。

可選的，所述熔射材料包括：鋁。

可選的，所述熔射材料的供給量設定為40克/分鐘～150克/分鐘。

可選的，對熔射材料進行熔化處理形成熔射液的溫度控制為1200攝氏度～1350攝氏度。