[發(fā)明專利]靶材組件的處理方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611270763.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108265274A | 公開(公告)日: | 2018-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚力軍;潘杰;相原俊夫;王學(xué)澤;劉霞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吳敏 |
| 地址: | 315400 浙江省寧波*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靶材組件 靶材 處理區(qū) 核心區(qū) 背板 粗糙層 靶材原子 膜層 靶材利用率 表面形成 磁控濺射 噴砂處理 使用壽命 鄰接 成膜 熔射 堆積 包圍 應(yīng)用 | ||
一種靶材組件的處理方法,包括:提供靶材組件,所述靶材組件包括背板和靶材,所述靶材位于所述背板上,所述靶材組件包括核心區(qū)和處理區(qū),所述核心區(qū)與所述處理區(qū)鄰接,所述處理區(qū)包圍所述核心區(qū),所述靶材位于所述核心區(qū)和部分所述處理區(qū)內(nèi);對(duì)所述處理區(qū)的部分靶材和部分背板進(jìn)行噴砂處理,在所述部分靶材和部分背板的表面形成粗糙層;對(duì)所述粗糙層進(jìn)行熔射處理,在所述粗糙層上形成膜層。所述方法處理后的靶材組件應(yīng)用到磁控濺射較長時(shí)間時(shí),即使靶材原子在所述膜層上形成堆積,所述靶材原子也不會(huì)脫落,成膜質(zhì)量好,靶材利用率高,從而顯著延長靶材的使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁控濺射技術(shù),特別涉及磁控濺射靶材組件的處理方法。
背景技術(shù)
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。磁控濺射的原理為:在真空狀態(tài)下,當(dāng)磁控濺射靶材被施加一個(gè)負(fù)電位、被鍍膜的工件加正電位時(shí),在磁控濺射靶材所在的真空室內(nèi)形成電場,然后向真空室內(nèi)充入工藝載氣(如Ar),在一定壓力和溫度下,正電位與負(fù)電位之間會(huì)產(chǎn)生放電現(xiàn)象,電子沿環(huán)形軌道運(yùn)動(dòng),撞擊工藝載氣(Ar)分子,產(chǎn)生等離子體放電。同時(shí),磁控濺射靶材上的磁鐵產(chǎn)生磁場,磁場施加于電場之中,在電場和磁場作用下工藝載氣(Ar)產(chǎn)生的離子撞擊磁控濺射靶材表面,使得作為陰極的磁控濺射靶材的原子濺射出去,在被鍍膜的工件表面上就形成了一層薄膜。
然而,采用現(xiàn)有技術(shù)的方法在被鍍膜的工件上成膜質(zhì)量不好,當(dāng)所述成膜質(zhì)量低于一定質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)時(shí),就需要更換靶材。而所述靶材未經(jīng)充分利用就被更換掉,造成靶材的浪費(fèi),所述靶材使用壽命較短。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種靶材組件的處理方法,能夠提高被鍍膜的工件上的成膜質(zhì)量和提高靶材的利用率,延長靶材的使用壽命。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明技術(shù)方案提供一種靶材組件的處理方法,包括:提供靶材組件,所述靶材組件包括背板和靶材,所述靶材位于所述背板上,所述靶材組件包括核心區(qū)和處理區(qū),所述核心區(qū)與所述處理區(qū)鄰接,所述處理區(qū)包圍所述核心區(qū),所述靶材位于所述核心區(qū)和部分所述處理區(qū)內(nèi);對(duì)所述處理區(qū)的部分靶材和部分背板進(jìn)行噴砂處理,在所述部分靶材和部分背板的表面形成粗糙層;對(duì)所述粗糙層進(jìn)行熔射處理,在所述粗糙層上形成膜層。
可選的,所述靶材包括:鈦靶材。
可選的,所述背板的材料包括:鋁合金。
可選的,所述噴砂處理步驟包括:提供噴砂槍;通過噴砂槍將砂粒沿處理區(qū)起始點(diǎn)噴射至處理區(qū)終止點(diǎn),在所述處理區(qū)部分靶材和部分背板表面形成粗糙層;所述處理區(qū)起始點(diǎn)為所述處理區(qū)內(nèi)的靶材側(cè)壁頂部,所述處理區(qū)終止點(diǎn)為所述處理區(qū)的外側(cè)邊緣。
可選的,所述處理區(qū)內(nèi)的靶材側(cè)壁與處理區(qū)內(nèi)的背板表面構(gòu)成處理區(qū)拐角;所述處理區(qū)終止點(diǎn)距離所述處理區(qū)拐角的距離為0毫米~20毫米。
可選的,所述噴砂槍具有噴砂槍槍嘴;在所述噴砂過程中,噴砂槍槍嘴至所述處理區(qū)的距離范圍為150毫米~200毫米。
可選的,噴砂槍噴嘴所噴砂粒所作的直線運(yùn)動(dòng)方向和所述背板所在水平面的夾角范圍為40度~55度。
可選的,在所述噴砂處理過程中,噴砂槍內(nèi)的壓強(qiáng)為:0.441兆帕~0.539兆帕。
可選的,所述砂粒型號(hào)為46號(hào)白剛玉。
可選的,所述熔射處理的步驟包括:提供熔射材料;對(duì)熔射材料進(jìn)行熔化處理形成熔射液;所述熔射液在所述粗糙層表面凝固形成膜層。
可選的,所述熔射材料包括:鋁。
可選的,所述熔射材料的供給量設(shè)定為40克/分鐘~150克/分鐘。
可選的,對(duì)熔射材料進(jìn)行熔化處理形成熔射液的溫度控制為1200攝氏度~1350攝氏度。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





