[發(fā)明專利]靶材組件的處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611270763.3
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108265274A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發(fā)明（設計）人: 姚力軍;潘杰;相原俊夫;王學澤;劉霞
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種靶材組件的處理方法，其特征在于，包括：

提供靶材組件，所述靶材組件包括背板和靶材，所述靶材位于所述背板上，所述靶材組件包括核心區(qū)和處理區(qū)，所述核心區(qū)與所述處理區(qū)鄰接，所述處理區(qū)包圍所述核心區(qū)，所述靶材位于所述核心區(qū)和部分所述處理區(qū)內；

對所述處理區(qū)的部分靶材和部分背板進行噴砂處理，在所述部分靶材和部分背板的表面形成粗糙層；

對所述粗糙層進行熔射處理，在所述粗糙層上形成膜層。

2.如權利要求1所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述靶材包括：鈦靶材。

3.如權利要求1所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述背板的材料包括：鋁合金。

4.如權利要求1所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述噴砂處理的步驟包括：提供噴砂槍；通過噴砂槍將砂粒沿處理區(qū)起始點噴射至處理區(qū)終止點，在所述處理區(qū)部分靶材和部分背板表面形成粗糙層；所述處理區(qū)起始點為所述處理區(qū)內的靶材側壁頂部，所述處理區(qū)終止點為所述處理區(qū)的外側邊緣。

5.如權利要求4所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述處理區(qū)內的靶材側壁與處理區(qū)內的背板表面構成處理區(qū)拐角；所述處理區(qū)終止點距離所述處理區(qū)拐角的距離為0毫米～20毫米。

6.如權利要求4所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述噴砂槍具有噴砂槍槍嘴；在所述噴砂處理過程中，噴砂槍槍嘴至所述處理區(qū)的距離范圍為150毫米～200毫米。

7.如權利要求6所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，噴砂槍槍嘴所噴砂粒所作的直線運動方向和所述背板所在水平面的夾角范圍為40度～55度。

8.如權利要求4所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，在所述噴砂處理過程中，噴砂槍內的壓強為：0.441兆帕～0.539兆帕。

9.如權利要求4所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述砂粒型號為46號白剛玉。

10.如權利要求1所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述熔射處理的步驟包括：提供熔射材料；對熔射材料進行熔化處理形成熔射液；所述熔射液在所述粗糙層表面凝固形成膜層。

11.如權利要求10所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述熔射材料包括：鋁。

12.如權利要求10所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述熔射材料的供給量設定為：40克/分鐘～150克/分鐘。

13.如權利要求10所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，對熔射材料進行熔化處理形成熔射液的溫度為：1200攝氏度～1350攝氏度。

14.如權利要求10所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述膜層落在所述粗糙層內。

15.如權利要求10所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述膜層表面的粗糙度為：12微米～25微米。

16.如權利要求10所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述膜層的厚度范圍為：0.01毫米～0.35毫米。

17.如權利要求5所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，沿所述處理區(qū)起始點至所述處理區(qū)拐角方向，所述膜層的厚度由薄至厚；沿所述處理區(qū)拐角至所述處理區(qū)終止點方向，所述膜層的厚度由厚至薄。

18.如權利要求1所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，對所述處理區(qū)進行噴砂處理后，還包括，用純凈水或去離子水清洗粗糙層。

19.如權利要求1所述的靶材組件的處理方法，其特征在于，所述靶材包括：靶材主體區(qū)和靶材傾斜區(qū)，所述靶材主體區(qū)與所述靶材傾斜區(qū)鄰接，所述靶材傾斜區(qū)包圍所述靶材主體區(qū)，且位于所述靶材傾斜區(qū)的靶材表面與所述靶材主體區(qū)的靶材頂部表面之間具有鈍角夾角。