[發明專利]一種形成光學分光透鏡的結構和方法有效
| 申請號: | 201611270736.6 | 申請日: | 2016-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN106597583B | 公開(公告)日: | 2019-01-18 |
| 發明(設計)人: | 儲佳 | 申請(專利權)人: | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號: | G02B3/00 | 分類號: | G02B3/00;H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;陳慧弘 |
| 地址: | 201210 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 形成 光學 分光 透鏡 結構 方法 | ||
本發明提供了一種光學分光透鏡的結構,通過改變透鏡材料層的材質及透鏡的形狀,可以得到不同光波范圍的分光特性,滿足從紫外光到紅外光的需求。本發明還提供了一種形成光學分光透鏡的方法,通過在襯底中利用晶向刻蝕形成不同的透鏡形狀的凹陷,再在凹陷中淀積透鏡材料形成透鏡,可便捷地形成各種光學分光透鏡,并且可以與現有集成電路制造工藝完全兼容。
技術領域
本發明屬于半導體集成電路制造工藝技術領域,尤其涉及一種形成光學分光透鏡的結構和方法。
背景技術
硅基光學傳感器(CCD/CIS,charge-coupled device/CMOS image sensor)是光學圖像傳感器的主流。為得到彩色圖像,需要光學分光透鏡對光線進行分光。目前,光學分光透鏡都是在封裝時形成,僅能反射特定波長的光,并且與現有集成電路制造工藝不能兼容。隨著傳感器尺寸不斷縮小,透鏡的尺寸也必須隨之縮小,這對材料、工藝都提出了更高的要求。
發明內容
本發明的目的在于克服上述缺陷,提出了一種形成光學分光透鏡的結構和方法,不僅可以與現有集成電路制造工藝完全兼容,可便捷地形成光學分光透鏡,而且可以通過改變透鏡材料,得到不同光波范圍的分光特性,滿足從紫外光到紅外光的需求。
為實現上述目的,本發明的技術方案如下:
一種光學分光透鏡的結構,其特征在于,從下到上包括襯底層、掩模層和透鏡材料層,襯底層中含有透鏡形狀的凹陷,透鏡材料層填充于所述凹陷中形成透鏡。
優選地,所述透鏡材料層的材質為硅或二氧化硅或氮化硅或碳化硅。
優選地,透鏡形狀為四棱錐或三棱錐或三棱柱。
優選地,所述襯底層的材質為單晶硅;所述掩模層的材質為氮化硅。
為實現上述目的,本發明還提供了一種技術方案如下:
一種形成權利要求1~4所述的光學分光透鏡的方法,包括以下步驟:
步驟S01:提供一襯底;
步驟S02:在所述襯底上表面沉積一掩模層,并圖案化,確定透鏡的位置;
步驟S03:以圖案化的掩模層為掩模,刻蝕掩模下方的襯底層,形成透鏡形狀的凹陷;
步驟S04:在凹陷中沉積填充透鏡材料,形成透鏡材料層;
步驟S05:平坦化透鏡材料層的上表面。
優選地,還可以包括步驟S06:從透鏡材料層的上表面進行離子注入至襯底中,形成位于凹陷下方且與襯底層表面平行的離子注入層。
優選地,所述步驟S03中,采用濕法工藝各向異性刻蝕形成所述透鏡形狀的凹陷。
優選地,透鏡形狀為四棱錐或三棱錐或三棱柱。
優選地,所述透鏡材料層的材質為硅或二氧化硅或氮化硅或碳化硅。
優選地,所述襯底層的材質為單晶硅;所述掩模層的材質為氮化硅。
從上述技術方案可以看出,本發明提供了一種光學分光透鏡的結構,通過改變透鏡材料層的材質及透鏡的形狀,可以得到不同光波范圍的分光特性,滿足從紫外光到紅外光的需求。本發明還提供了一種形成光學分光透鏡的方法,通過在襯底中利用晶向刻蝕形成不同的透鏡形狀的凹陷,再在凹陷中淀積透鏡材料形成透鏡,可便捷地形成各種光學分光透鏡,并且可以與現有集成電路制造工藝完全兼容。
附圖說明
圖1為本發明的一種光學分光透鏡的結構示意圖;
圖2為本發明的一種形成光學分光透鏡的方法流程圖;
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