[發(fā)明專利]一種形成光學(xué)分光透鏡的結(jié)構(gòu)和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611270736.6
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106597583B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 儲佳
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: G02B3/00
• 分類號: G02B3/00;H01L27/146
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種形成光學(xué)分光透鏡的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01：提供一襯底，所述襯底為單晶硅，所述襯底的上表面晶相為<100>晶向或<111>晶向或<110>晶向；

步驟S02：在所述襯底上表面沉積一掩模層，并圖案化，確定透鏡的位置；

步驟S03：以圖案化的掩模層為掩模，刻蝕掩模下方的襯底層，形成透鏡形狀的凹陷，當(dāng)單晶硅襯底的上表面為<100>晶向時，所述透鏡形狀為四棱錐；當(dāng)單晶硅襯底的上表面為<111>晶向時，所述透鏡形狀為三棱錐；單晶硅襯底的上表面為<110>晶向時，所述透鏡形狀為三菱柱；

步驟S04：在凹陷中沉積填充透鏡材料，形成透鏡材料層；

步驟S05：平坦化透鏡材料層的上表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還可以包括步驟S07：從透鏡材料層的上表面進行離子注入至襯底中，形成位于凹陷下方且與襯底層表面平行的離子注入層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S03中，采用濕法工藝各向異性刻蝕形成所述透鏡形狀的凹陷。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述透鏡材料層的材質(zhì)為硅或二氧化硅或氮化硅或碳化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底層的材質(zhì)為單晶硅；所述掩模層的材質(zhì)為氮化硅。