[發(fā)明專利]一種新型WLP封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611260092.2
• 申請(qǐng)日: 2016-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108269744A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尉紀(jì)宏;李國(guó)帥;江京
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫天芯互聯(lián)科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/56
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231
• 代理人: 黃杭飛

本發(fā)明屬于WLP封裝結(jié)構(gòu)的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種新型WLP封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法；解決的技術(shù)問(wèn)題為：提供一種產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制作工藝更簡(jiǎn)單、產(chǎn)品尺寸更小、成本更低的新型WLP封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法；采用的技術(shù)方案為：一種新型WLP封裝結(jié)構(gòu)，包括：硅襯底，所述硅襯底包括位于底部的無(wú)線路層和位于無(wú)線路層上的蝕刻電路層，所述蝕刻電路層上設(shè)有焊盤(pán)，所述無(wú)線路層的底部設(shè)有保護(hù)層，所述硅襯底的外表面設(shè)有絕緣層，所述絕緣層上設(shè)有凹槽，所述焊盤(pán)分別位于所述凹槽內(nèi)，所述焊盤(pán)均與所述硅襯底的表面相接觸；本發(fā)明適用于WLP封裝領(lǐng)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于WLP封裝結(jié)構(gòu)的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種新型WLP封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)

目前，電子產(chǎn)品在高密度、高性能、高可靠性、低成本的發(fā)展趨勢(shì)下，不斷向微型化、密間距發(fā)展，封裝采用元器件尺寸和可靠性也提出越來(lái)越高的要求。目前常規(guī)小尺寸器件(如0201、01005產(chǎn)品)大都采用傳統(tǒng)的leadframe工藝，其生產(chǎn)成本較高、效率低，產(chǎn)品價(jià)格和尺寸難以進(jìn)一步壓縮。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，所要解決的技術(shù)問(wèn)題為：提供一種產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制作工藝更簡(jiǎn)單、產(chǎn)品尺寸更小、成本更低的新型WLP封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：一種新型WLP封裝結(jié)構(gòu)，包括：硅襯底，所述硅襯底包括位于底部的無(wú)線路層和位于無(wú)線路層上的蝕刻電路層，所述蝕刻電路層上設(shè)有焊盤(pán)，所述無(wú)線路層的底部設(shè)有保護(hù)層，所述硅襯底的外表面設(shè)有絕緣層，所述絕緣層上設(shè)有凹槽，所述焊盤(pán)分別位于所述凹槽內(nèi)，所述焊盤(pán)均與所述硅襯底的表面相接觸。

相應(yīng)地，一種新型WLP封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括以下步驟：S101、提供未封裝的晶圓結(jié)構(gòu)，所述晶圓結(jié)構(gòu)由多個(gè)一體成型的單元晶圓構(gòu)成，所述單元晶圓包括硅襯底，所述硅襯底包括位于底部的無(wú)線路層和位于無(wú)線路層上的蝕刻電路層，所述蝕刻電路層上設(shè)有焊盤(pán)；S102、在兩兩相鄰的單元晶圓之間的硅襯底上形成溝槽；S103、在所述溝槽內(nèi)填充絕緣物，在裸露的硅襯底上形成絕緣層；S104、從硅襯底的背面對(duì)無(wú)線路層進(jìn)行減薄；S105、在減薄后的無(wú)線路層的底部形成保護(hù)層；S106、以所述溝槽為分界線，將兩兩相鄰的單元晶圓進(jìn)行分離。

優(yōu)選地，步驟S102中，所述在兩兩相鄰的單元晶圓之間的硅襯底上形成溝槽，具體包括：用切割工具從所述晶圓結(jié)構(gòu)的正面垂直切入硅襯底中，在兩兩相鄰的單元晶圓之間的硅襯底上形成溝槽。

優(yōu)選地，步驟S103中，所述在所述溝槽內(nèi)填充絕緣物，在裸露的硅襯底上形成絕緣層，具體包括：在所述溝槽內(nèi)和所述硅襯底上填充絕緣物，然后對(duì)硅襯底上的絕緣物進(jìn)行打磨，露出焊盤(pán)。

優(yōu)選地，步驟S104中，所述從硅襯底的背面對(duì)無(wú)線路層進(jìn)行減薄，具體包括：從硅襯底的背面對(duì)無(wú)線路層進(jìn)行磨劃，減薄至需要的厚度。

優(yōu)選地，步驟S106中，所述以所述溝槽為分界線，將兩兩相鄰的單元晶圓進(jìn)行分離，具體包括：沿著豎直方向，采用切割工具，以所述溝槽為分界線，將兩兩相鄰的單元晶圓進(jìn)行分離。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下有益效果：首先，本發(fā)明簡(jiǎn)化掉了傳統(tǒng)工藝的復(fù)雜的貼片或引線鍵合等流程，提高了效率和良品率，節(jié)省了成本損耗；其次，在較低成本和設(shè)備投入下，提升了器件的加工尺寸能力，能生產(chǎn)更小的器件(如01005)，更好滿足市場(chǎng)需求；最后，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)相比于傳統(tǒng)工藝結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)單，具有更優(yōu)異可靠性；

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明；

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種新型WLP封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2至圖7為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種新型WLP封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖；