[發明專利]一種新型WLP封裝結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201611260092.2
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108269744A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 尉紀宏;李國帥;江京
• 申請（專利權）人: 無錫天芯互聯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 黃杭飛

1.一種新型WLP封裝結構，包括：硅襯底(10)，所述硅襯底包括位于底部的無線路層(101)和位于無線路層(101)上的蝕刻電路層(102)，所述蝕刻電路層(102)上設有焊盤(20)，其特征在于：所述無線路層(101)的底部設有保護層(30)，所述硅襯底(10)的外表面設有絕緣層(40)，所述絕緣層(40)上設有凹槽，所述焊盤(20)分別位于所述凹槽內，所述焊盤(20)均與所述硅襯底(10)的表面相接觸。

2.一種新型WLP封裝結構的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

S101、提供未封裝的晶圓結構，所述晶圓結構由多個一體成型的單元晶圓構成，所述單元晶圓包括硅襯底(10)，所述硅襯底(10)包括位于底部的無線路層(101)和位于無線路層(101)上的蝕刻電路層(102)，所述蝕刻電路層(102)上設有焊盤(20)；

S102、在兩兩相鄰的單元晶圓之間的硅襯底(10)上形成溝槽(50)；

S103、在所述溝槽(50)內填充絕緣物(60)，在裸露的硅襯底(10)上形成絕緣層(40)；

S104、從硅襯底(10)的背面對無線路層(101)進行減薄；

S105、在減薄后的無線路層(101)的底部形成保護層(30)；

S106、以所述溝槽(50)為分界線，將兩兩相鄰的單元晶圓進行分離。

3.根據權利要求2所述的一種新型WLP封裝結構的制作方法，其特征在于：步驟S102中，所述在兩兩相鄰的單元晶圓之間的硅襯底(10)上形成溝槽(50)，具體包括：

用切割工具從所述晶圓結構的正面垂直切入硅襯底(10)中，在兩兩相鄰的單元晶圓之間的硅襯底(10)上形成溝槽(50)。

4.根據權利要求2所述的一種新型WLP封裝結構的制作方法，其特征在于：步驟S103中，所述在所述溝槽(50)內填充絕緣物(60)，在裸露的硅襯底(10)上形成絕緣層(40)，具體包括：

在所述溝槽(50)內和所述硅襯底(10)上填充絕緣物(60)，然后對硅襯底(10)上的絕緣物(60)進行打磨，露出焊盤(20)。

5.根據權利要求2所述的一種新型WLP封裝結構的制作方法，其特征在于：步驟S104中，所述從硅襯底(10)的背面對無線路層(101)進行減薄，具體包括：

從硅襯底(10)的背面對無線路層(101)進行磨劃，減薄至需要的厚度。

6.根據權利要求2所述的一種新型WLP封裝結構的制作方法，其特征在于：步驟S106中，所述以所述溝槽(50)為分界線，將兩兩相鄰的單元晶圓進行分離，具體包括：

沿著豎直方向，采用切割工具，以所述溝槽(50)為分界線，將兩兩相鄰的單元晶圓進行分離。