[發明專利]一種輔助圖形的添加方法

有效

• 申請號: 201611259536.0
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106527040B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 胡紅梅
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

本發明提供了一種輔助圖形的添加方法，包括：提供一OPC目標圖形，根據輔助圖形基準規則，選取其中只能加入一根輔助圖形部分的規則,建立輔助圖形額外規則；把目標圖形整體進行放大，使目標圖形的所有邊向外擴展A距離；基于輔助圖形額外規則，將該輔助圖形額外規則中相應目標圖形之間的距離值減去2A；并且，基于A距離，將輔助圖形額外規則中因目標圖形整體放大而受到影響的其他參數進行相應調整；運行輔助圖形額外規則，生成第一輔助圖形；以第一輔助圖形作為新增的參考圖形，對目標圖形執行輔助圖形基準規則，生成第二輔助圖形；將第一輔助圖形，第二輔助圖形和其它已有輔助圖形疊加構成最終的輔助圖形。

技術領域

本發明涉及半集成電路制造技術領域，具體涉及一種輔助圖形的添加方法。

背景技術

在暗場工藝中，通孔獲得的光強較弱，圖像對比度差。隨著線寬的減小，通孔層次的掩模版誤差因子(Mask Error Effect，MEF)增大明顯，由此帶來的是掩模版圖形尺寸的微小波動導致硅片上線寬的顯著變化，同時，半導體工藝條件會出現各種波動，典型地如光刻工藝中焦距的波動、曝光能量的波動等都會導致光刻線寬的波動。因此，為確保良率，必須提高通孔圖形的解析能力和工藝窗口。

目前常用的方法是在通孔周圍插入AF(assist feature)，包括基于規則的AF(RBAF)和基于模型的AF(MBAF)來改善通孔的空間頻率和空間像從而提高通孔的解析度和工藝窗口。MBAF的原理是基于模型(model)進行AF的添加，運行時間較長，而RBAF則是基于一系列規則組合來添加AF，包括side AF和corner AF的添加。

AF rule是基于硅片上收集的大量關于輔助圖形與線寬和圖像等驗證數據而制定的(包含圖形的類型和尺寸)。根據該驗證過的AFrule，在光學臨近修正(OpticalProximity Correction,OPC)過程中，對需要進行OPC修正的目標圖形添加AF，即通常所說的RBAF。RBAF包含邊輔助圖形(side bar)和角輔助圖形(corner bar)，side bar的主要參數有輔助圖形尺寸(SBW)/輔助圖形與目標圖形的距離(S2M)/輔助圖形之間的距離(S2S)，corner AF主要參數有輔助圖形尺寸(SBW)/輔助圖形與目標圖形的距離(S2M)，如圖1所示。按照目標圖形邊緣間重疊區域的距離，參照AF rule，從而確定該交疊區域的AF參數以進行AF的添加，根據距離的大小，在兩個通孔間可能加入一根，兩根甚至更多根的AF。

對于某些通孔圖形，當邊緣重疊區域長度較短時，受最小AF長度、S2M等參數的影響，對于常規RBAF，該區域內將不會有AF的添加，如圖2所示，A區域內最終的AF添加結果為其中的帶斜線圖形。

發明內容

為了克服以上問題，本發明旨在提供一種輔助圖形的添加方法，在目標圖形邊緣距離較小的情況下實現輔助圖形的添加。

為了達到上述目的，本發明提供了一種輔助圖形的添加方法，其包括：

步驟01：提供一OPC目標圖形，根據輔助圖形基準規則，選取其中只能加入一根輔助圖形部分的規則，建立輔助圖形額外規則；其中，OPC目標圖形中可能已有輔助圖形；

步驟02：把目標圖形整體進行放大，使目標圖形的所有邊向外擴展A距離；A為非負數，A的單位為長度單位；

步驟03：基于輔助圖形額外規則，將所述輔助圖形額外規則中相應目標圖形之間的距離值減去2A；并且，基于A距離，將輔助圖形額外規則中因目標圖形整體放大而受到影響的其他參數進行相應調整；

步驟04：運行輔助圖形額外規則，生成第一輔助圖形；

步驟05：以第一輔助圖形作為新增的參考圖形，對目標圖形執行輔助圖形基準規則，生成第二輔助圖形；將第一輔助圖形，第二輔助圖形和已有輔助圖形疊加構成最終的輔助圖形。