[發(fā)明專利]一種自動(dòng)調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的方法及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611259200.4
• 申請(qǐng)日: 2016-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN108270343B
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪釗;盧偉杰;吳祥;譚佳佳;宣龍健;王彪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司
• 主分類號(hào): H02M1/08
• 分類號(hào): H02M1/08;H05B6/06
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 何佩英

本發(fā)明涉及一種自動(dòng)調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的方法及系統(tǒng)，涉及IGBT工作狀態(tài)調(diào)整領(lǐng)域。目的在于解決單管電磁加熱過程中IGBT損耗大的問題。所述方法包括：采集市電電壓；根據(jù)不同的市電電壓生成對(duì)應(yīng)的延時(shí)時(shí)間t；檢測(cè)IGBT集電極電壓和市電整流濾波電壓，當(dāng)IGBT集電極電壓小于整流濾波電壓時(shí)開啟IGBT開通使能；延時(shí)t時(shí)間后控制IGBT開通。能夠解決不同工作電壓對(duì)IGBT工作狀態(tài)的影響，使IGBT工作在低損耗狀態(tài)下。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及IGBT工作狀態(tài)調(diào)整領(lǐng)域。

背景技術(shù)

在單管電磁加熱方案中，MCU通過檢測(cè)線圈盤兩端電壓的變化來控制IGBT開通，在不同的工作電壓下IGBT在開通時(shí)C極電壓可能會(huì)出現(xiàn)兩種情況，一種情況是IGBT C極電壓未下降到最低點(diǎn)，導(dǎo)致IGBT開通期間導(dǎo)通電流增大，IGBT損耗增大；另一種情況是IGBT C極電壓已經(jīng)下降到0，IGBT開通信號(hào)滯后，導(dǎo)致負(fù)向電流流過IGBT中二極管，導(dǎo)致二極管損耗增大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種自動(dòng)調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的方法及系統(tǒng)，目的在于解決單管電磁加熱過程中IGBT損耗大的問題。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：一種自動(dòng)調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的方法，所述方法包括：

采集市電電壓；

根據(jù)不同的市電電壓生成對(duì)應(yīng)的延時(shí)時(shí)間t；

檢測(cè)IGBT集電極電壓和市電整流濾波電壓，當(dāng)IGBT集電極電壓小于整流濾波電壓時(shí)開啟IGBT開通使能；

延時(shí)t時(shí)間后控制IGBT開通。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明通過采集市電電壓，通過市電電壓生成延時(shí)時(shí)間，開啟IGBT開通使能，并在延時(shí)t時(shí)間后控制IGBT開通，能夠解決不同工作電壓對(duì)IGBT工作狀態(tài)的影響，使IGBT工作在低損耗狀態(tài)下。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。

進(jìn)一步，所述延時(shí)時(shí)間t的生成過程為：

設(shè)定基準(zhǔn)電壓及所述基準(zhǔn)電壓所對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)延時(shí)時(shí)間；

計(jì)算當(dāng)前采集的市電電壓的AD轉(zhuǎn)換值與基準(zhǔn)電壓的AD轉(zhuǎn)換值的差值；

將所述差值乘以預(yù)先設(shè)定的比例系數(shù)后的結(jié)果與設(shè)定的基準(zhǔn)延時(shí)時(shí)間進(jìn)行差值計(jì)算，獲得延時(shí)時(shí)間t。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：通過上述計(jì)算過程能夠精確獲知不同市電電壓下所對(duì)應(yīng)的延時(shí)時(shí)間，保證后續(xù)順利控制IGBT開通。

進(jìn)一步，IGBT集電極電壓與市電電壓的比較過程由比較器實(shí)現(xiàn)，當(dāng)IGBT集電極電壓小于整流濾波電壓時(shí)，比較器輸出高電平上升沿，控制MCU觸發(fā)外部中斷，MCU產(chǎn)生IGBT開通使能。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：通過比較器對(duì)IGBT集電極電壓與市電電壓進(jìn)行比較，從而輸出高電平上升沿，通過該上升沿觸發(fā)MCU產(chǎn)生開通使能，從而為后續(xù)IGBT的開通做出準(zhǔn)備。

進(jìn)一步，控制IGBT開通由MCU實(shí)現(xiàn)，所述MCU產(chǎn)生IGBT開通使能，延時(shí)t時(shí)間后，輸出PWM控制IGBT開通。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：通過PWM控制IGBT開通，控制更為精準(zhǔn)，同時(shí)延時(shí)t時(shí)間能夠降低IGBT的損耗。

進(jìn)一步，在采集市電電壓時(shí)將交流市電整流為直流電。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：將交流市電整流為直流電，再通過直流電對(duì)交流市電電壓進(jìn)行計(jì)算，計(jì)算結(jié)果更加精確。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提出了一種自動(dòng)調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：