[發(fā)明專利]一種自動調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的方法及系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611259200.4
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108270343B
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發(fā)明（設計）人: 汪釗;盧偉杰;吳祥;譚佳佳;宣龍健;王彪
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H05B6/06
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 何佩英

1.一種自動調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的方法，其特征在于，所述方法包括：

采集市電電壓；

根據(jù)不同的市電電壓生成對應的延時時間t；

檢測IGBT集電極電壓和市電整流濾波電壓，當IGBT集電極電壓小于整流濾波電壓時開啟IGBT開通使能；

延時t時間后控制IGBT開通；

所述延時時間t的生成過程為：

設定基準電壓及所述基準電壓所對應的基準延時時間；

計算當前采集的市電電壓的AD轉(zhuǎn)換值與基準電壓的AD轉(zhuǎn)換值的差值；

將所述差值乘以預先設定的比例系數(shù)后的結(jié)果與設定的基準延時時間進行差值計算，獲得延時時間t。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的方法，其特征在于，IGBT集電極電壓與市電電壓的比較過程由比較器實現(xiàn)，當IGBT集電極電壓小于整流濾波電壓時，比較器輸出高電平上升沿，控制MCU觸發(fā)外部中斷，MCU產(chǎn)生IGBT開通使能。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種自動調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的方法，其特征在于，控制IGBT開通由MCU實現(xiàn)，所述MCU產(chǎn)生IGBT開通使能，延時t時間后，輸出PWM控制IGBT開通。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的一種自動調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的方法，其特征在于，在采集市電電壓時將交流市電整流為直流電。

5.一種自動調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括：

電壓采樣模塊，用于采集市電電壓；

同步采樣模塊，用于檢測IGBT集電極電壓和市電整流濾波電壓，判斷IGBT集電極電壓是否小于整流濾波電壓，如果是，則啟動MCU控制模塊，如果否，則循環(huán)啟動同步采用模塊；

MCU控制模塊，用于根據(jù)不同的市電電壓生成對應的延時時間t，當IGBT集電極電壓小于整流濾波電壓時開啟IGBT開通使能，并在延時t時間后控制IGBT開通；

所述MCU控制模塊包括：

基準設定模塊，用于設定基準電壓及所述基準電壓所對應的基準延時時間；

差值計算模塊，用于計算當前采集的市電電壓的AD轉(zhuǎn)換值與基準電壓的AD轉(zhuǎn)換值的差值；

時間計算模塊，用于將所述差值乘以預先設定的比例系數(shù)后的結(jié)果與設定的基準延時時間進行差值計算，獲得延時時間t。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種自動調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的系統(tǒng)，其特征在于，所述同步采樣模塊包括比較器，當IGBT集電極電壓小于整流濾波電壓時，比較器輸出高電平上升沿，控制MCU控制模塊觸發(fā)外部中斷，MCU控制模塊產(chǎn)生IGBT開通使能。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種自動調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的系統(tǒng)，其特征在于，所述MCU控制模塊產(chǎn)生IGBT開通使能，延時t時間后，輸出PWM控制IGBT開通。

8.根據(jù)權(quán)利要求5至7任一項所述的一種自動調(diào)整單管IGBT工作狀態(tài)的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括整流濾波模塊，所述整流濾波模塊用于將交流市電整流為直流電。