[發明專利]半導體元件的制作方法

有效

• 申請號: 201611258719.0
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108269763B
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 林哲平;王永銘;詹電鍼;詹書儼
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作動態隨機存取存儲器元件的方法，包含：

提供一基底，該基底上具有一存儲區；

形成一溝槽于該基底的該存儲區內；

進行一第一離子注入制作工藝以形成一第一摻雜區具有第一導電型式于該基底內且位于該溝槽旁；

形成一柵極電極于該溝槽內；以及

形成該柵極電極之后，進行一第二離子注入制作工藝以形成一第二摻雜區具有第二導電型式于該基底內并位于該柵極電極上,其中該第二摻雜區的濃度大于該第一摻雜區的濃度。

2.如權利要求1所述的方法，另包含于形成該溝槽之前形成一淺溝隔離于該基底內并定義出該存儲區。

3.如權利要求1所述的方法，另包含于形成該溝槽之前形成一阱區具有該第一導電型式于該基底內。

4.如權利要求1所述的方法，另包含形成該第一摻雜區于該溝槽兩側的該基底內以及該溝槽正下方的該基底內。

5.如權利要求1所述的方法，其中該柵極電極包含鎢。

6.如權利要求1所述的方法，其中該柵極電極的上表面低于該第一摻雜區的上表面。

7.如權利要求1所述的方法，另包含形成該第二摻雜區于該溝槽兩側的該基底內并位于該柵極電極上方。

8.如權利要求1所述的方法，其中該第一導電型式不同于該第二導電型式。