[發明專利]一種內表面負載貴金屬納米粒子的蛋黃型芬頓微反應器的制備方法有效
| 申請號: | 201611257212.3 | 申請日: | 2016-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN106732232B | 公開(公告)日: | 2018-10-02 |
| 發明(設計)人: | 姚同杰;關晨晨;張軍帥 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | B01J19/00 | 分類號: | B01J19/00;C02F1/72 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人: | 侯靜 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 表面 負載 貴金屬 納米 粒子 蛋黃 型芬頓微 反應器 制備 方法 | ||
1.一種內表面負載貴金屬納米粒子的蛋黃型芬頓微反應器的制備方法,其特征在于該方法包括以下步驟:
一、將磁性納米粒子分散到水中,然后加入正硅酸乙酯至終濃度為1mg/mL~30mg/mL,攪拌2-3min,再加入氨水至終濃度為0.01mg/mL~1mg/mL,反應6-12h,得到產物A;
二、將產物A加入貴金屬鹽溶液中,其中貴金屬鹽的終濃度為0.1mg/mL~10mg/mL,攪拌10min~30min后,加入還原劑至終濃度為1mg/mL~50mg/mL,反應10min~60min,得到產物B;
三、將產物B分散于導電高分子單體中,其中導電高分子單體的終濃度為10mg/mL~100mg/mL,加入引發劑至終濃度為10mg/mL~300mg/mL,引發聚合,反應3h~24h,得到產物C;
四、將產物C放入刻蝕劑中,刻蝕10h~24h,得到最終產物;
首先以磁性納米粒子為核心模板,通過水解正硅酸乙酯在其表面包覆上完整的二氧化硅殼層;之后,將貴金屬納米粒子沉積在二氧化硅殼層表面;接著,繼續在外表面聚合導電高分子單體,形成完整的導電高分子聚合物殼層;最后,將中間的二氧化硅殼層選擇性刻蝕掉,就得到了蛋黃型微反應器。
2.根據權利要求1所述的蛋黃型芬頓微反應器的制備方法,其特征在于步驟一中所述的磁性納米粒子為四氧化三鐵、三氧化二鐵或羥基氧化鐵。
3.根據權利要求1所述的蛋黃型芬頓微反應器的制備方法,其特征在于步驟一中加入氨水至終濃度為0.1mg/mL~0.8mg/mL。
4.根據權利要求1所述的蛋黃型芬頓微反應器的制備方法,其特征在于步驟二中所述貴金屬鹽溶液中的貴金屬鹽為硝酸銀、氯金酸、氯鉑酸、氯化鈀、銀氨溶液、氯鉑酸鉀、亞氯鉑酸鉀中的一種或幾種。
5.根據權利要求1所述的蛋黃型芬頓微反應器的制備方法,其特征在于步驟二中貴金屬鹽的終濃度為1mg/mL~7mg/mL。
6.根據權利要求1所述的蛋黃型芬頓微反應器的制備方法,其特征在于步驟二中所述的還原劑為硼氫化鈉、肼或葡萄糖。
7.根據權利要求1所述的蛋黃型芬頓微反應器的制備方法,其特征在于步驟三中所述的導電高分子單體為苯胺、吡咯、噻吩、乙炔、3-己基噻吩、3,4-乙烯二氧噻吩中的一種或幾種按任意比組成的混合物。
8.根據權利要求1所述的蛋黃型芬頓微反應器的制備方法,其特征在于步驟三中所述的引發劑為三氯化鐵、過硫酸銨、過硫酸鉀或過硫酸鈉。
9.根據權利要求1所述的蛋黃型芬頓微反應器的制備方法,其特征在于步驟三中導電高分子單體的終濃度為20mg/mL~90mg/mL。
10.根據權利要求1所述的蛋黃型芬頓微反應器的制備方法,其特征在于步驟四中所述的刻蝕劑為氫氟酸、氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液或氨水,其中氫氟酸、氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液和氨水濃度均為0.5-3mol/L。
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