[發明專利]一種半導體的制備方法、半導體、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201611256880.4
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106601595B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 邢升陽
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/16;H01L29/167;H01L29/786;C23C16/04
• 代理公司: 44280 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 鐘子敏<國際申請>=<國際公布>=<進入

本發明公開了一種半導體的制備方法、半導體、顯示面板及顯示裝置，所述半導體制備方法包括：提供襯底基板；利用第一掩膜板，通過化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第一濃度的第一摻雜物質，進而在所述第一掩膜板的第一開口區形成第一摻雜非晶硅層；利用第二掩膜板，通過所述化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第二濃度的第二摻雜物質，進而在所述第二掩膜板的第二開口區形成第二摻雜非晶硅層，所述第一摻雜非晶硅層和所述第二摻雜非晶硅層共同組成所述半導體的非晶硅層。通過上述方式，本發明能夠簡化制備半導體工藝。

技術領域

本發明涉及液晶顯示領域，特別是涉及一種半導體的制備方法、半導體、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

目前，顯示器大多是以薄膜晶體管(TFT)為開關元件的有源陣列驅動顯示器。TFT是一種場效應半導體器件，包括襯底、半導體溝道層、絕緣層、柵極和源漏電極等幾個重要組成部分。在常規的TFT制程中,需要經過多次“化學氣相沉積(CVD)、光阻涂布、曝光、顯影、離子植入、去光阻”循環。該工藝過程較復雜，且需要多臺涂布機、曝光機、離子植入機、去光阻機、活化機等，生產周期長，生產成本高。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種半導體的制備方法、半導體、顯示面板及顯示裝置，能夠簡化半導體的制備工藝。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種半導體的制備方法，包括：提供襯底基板；利用第一掩膜板，通過化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第一濃度的第一摻雜物質，進而在所述第一掩膜板的第一開口區形成第一摻雜非晶硅層。

其中，進一步包括：利用第二掩膜板，通過所述化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第二濃度的第二摻雜物質，進而在所述第二掩膜板的第二開口區形成第二摻雜非晶硅層，所述第一摻雜非晶硅層和所述第二摻雜非晶硅層共同組成所述半導體的非晶硅層。

其中，所述利用第二掩膜板，通過所述化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第二濃度的第二摻雜物質，進而在所述第二掩膜板的第二開口區形成第二摻雜非晶硅層之后進一步包括，利用第三掩膜板，通過所述化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第三濃度的第二摻雜物質，進而在所述第三掩膜板的第三開口區形成第三摻雜非晶硅層，所述第一摻雜非晶硅層、所述第二摻雜非晶硅層、所述第三摻雜非晶硅層共同組成所述半導體的非晶硅層。

其中，當在所述襯底基板上制備N型或P型半導體時，若所述第二摻雜非晶硅層位于所述第一摻雜非晶硅層和所述第三摻雜非晶硅層之間，則所述第二濃度小于所述第三濃度；若所述第三摻雜非晶硅層位于所述第一摻雜非晶硅層和所述第二摻雜非晶硅層之間，則所述第三濃度小于所述第二濃度。

其中，當在所述襯底基板上同時制備N型和P型半導體時，所述利用第三掩膜板，通過所述化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第三濃度的第二摻雜物質，進而在所述第三掩膜板的第三開口區形成第三摻雜非晶硅層之后包括，利用第四掩膜板，通過所述化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第四濃度的第一摻雜物質，進而在所述第四掩膜板的第四開口區形成第四摻雜非晶硅層，所述第一摻雜非晶硅層、所述第二摻雜非晶硅層、所述第三摻雜非晶硅層、所述第四摻雜非晶硅層共同組成所述半導體的非晶硅層。

其中，所述第四濃度大于第一濃度；所述第三濃度大于第二濃度。